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发明公开
一种半导体激光器及其光学集成半导体器件的制造方法无效

公开(公告)号：CN1440096A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN03106193.1

申请日：2003-02-21

Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社

Inventor： 山崎裕幸

IPC: H01S5/00 , H01S5/30

CPC classification number: H01S5/12 , H01S5/1014 , H01S5/106 , H01S5/1064 , H01S5/1231 , H01S5/2077

Abstract: 一种半导体激光器及其光学集成半导体器件的制造方法。用本发明的方法制造的半导体激光器包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的具有不规则表面的衍射光栅以及生长在衍射光栅上的光导层。选择光导层的生长时间周期，以使衍射光栅的谷不被引导层填满。此外，生长周期保持基本恒定，不考虑衍射光栅高度的变化。

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