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公开(公告)号：CN1130808C
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN98124880.2
申请日：1998-11-27
Applicant: NEC化合物半导体器件株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/3201 , H01S2301/173
Abstract: 一种光发射半导体元件包括生长在包层或中间层上的第一附加层。第一附加层的晶格常数不同于半导体衬底的第二晶格常数。光发射半导体元件安装到散热片上以形成激光器元件。散热片使光发射结构产生形变。在那里第一附加层产生应变并且抑制形变的影响。
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