公开(公告)号：CN101068030B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200710090652.9

申请日：2007-03-30

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/02365 ,  H01L29/02 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法，在该半导体器件中，半导体层形成在绝缘衬底上，并且在半导体层和绝缘衬底之间插入有前端绝缘层，前端绝缘层能够防止绝缘衬底中包含的杂质对半导体层产生作用，并且能够提高半导体器件的可靠性。在TFT(薄膜晶体管)中，硼被包含在位于距绝缘衬底表面约100nm或者更近的区域中，使得硼的浓度从绝缘衬底表面朝向半导体层以每1nm约1/1000倍的平均速率降低。

公开(公告)号：CN101924111A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010238538.8

申请日：2007-03-30

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/02365 ,  H01L29/02 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法，在该半导体器件中，半导体层形成在绝缘衬底上，并且在半导体层和绝缘衬底之间插入有前端绝缘层，前端绝缘层能够防止绝缘衬底中包含的杂质对半导体层产生作用，并且能够提高半导体器件的可靠性。在TFT(薄膜晶体管)中，硼被包含在位于距绝缘衬底表面约100nm或者更近的区域中，使得硼的浓度从绝缘衬底表面朝向半导体层以每1nm约1/1000倍的平均速率降低。

公开(公告)号：CN100459169C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200610101939.2

申请日：2006-07-11

Applicant: 日本电气株式会社 ,  NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂 ,  是成贵弘 ,  松崎忠弘 ,  田边浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/66757

Abstract: 在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。

公开(公告)号：CN101315947A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810109584.0

申请日：2008-06-02

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂 ,  田边浩 ,  田中淳

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种作为栅极绝缘膜的高性能氧化硅膜并且提供一种具有半导体器件，所述的氧化硅膜和半导体器件具有优良的电特性。根据本发明的氧化硅膜在膜中包含CO2，其中，当红外吸收光谱中的峰的积分强度由(半高峰宽)×(峰高)表示时，相对于在波数1,060cm－1附近出现的SiO2－特征峰的积分强度，在波数2,340cm－1附近出现的CO2－特征峰的积分强度是8E－4倍以上。

公开(公告)号：CN101068030A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200710090652.9

申请日：2007-03-30

Applicant: 日本电气株式会社 ,  NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/02365 ,  H01L29/02 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法，在该半导体器件中，半导体层形成在绝缘衬底上，并且在半导体层和绝缘衬底之间插入有前端绝缘层，前端绝缘层能够防止绝缘衬底中包含的杂质对半导体层产生作用，并且能够提高半导体器件的可靠性。在TFT(薄膜晶体管)中，硼被包含在位于距绝缘衬底表面约100nm或者更近的区域中，使得硼的浓度从绝缘衬底表面朝向半导体层以每1nm约1/1000倍的平均速率降低。

公开(公告)号：CN1897307A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610101939.2

申请日：2006-07-11

Applicant: 日本电气株式会社 ,  NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂 ,  是成贵弘 ,  松崎忠弘 ,  田边浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/66757

Abstract: 在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。

公开(公告)号：CN101315947B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200810109584.0

申请日：2008-06-02

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂 ,  田边浩 ,  田中淳

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种作为栅极绝缘膜的高性能氧化硅膜并且提供一种具有半导体器件，所述的氧化硅膜和半导体器件具有优良的电特性。根据本发明的氧化硅膜在膜中包含CO2，其中，当红外吸收光谱中的峰的积分强度由(半高峰宽)×(峰高)表示时，相对于在波数1,060cm-1附近出现的SiO2-特征峰的积分强度，在波数2,340cm-1附近出现的CO2-特征峰的积分强度是8E-4倍以上。

公开(公告)号：CN101981676A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111418.7

申请日：2009-03-30

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂 ,  东海林功 ,  田边浩 ,  柴田惠

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621 ,  G02F2001/13685 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。