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公开(公告)号：CN101345261A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810135662.4
申请日：2008-07-09
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 田边浩
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/78633 , H01L29/66757
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。本发明公开了通过简化制造工序以低成本实现具有高耐光性特征并具有被抑制的光泄漏电流的TFT。该TFT基本包括：在作为绝缘基板的玻璃基板上形成的遮光膜；在该遮光膜上形成的绝缘膜；在该绝缘膜上形成的半导体膜；以及在该半导体膜上形成的栅绝缘膜。对设置为包括该遮光膜、绝缘膜和半导体膜的三个层的叠层中的每个层同时进行构图。另外，所述叠层的每个层由硅或含硅材料制成。
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公开(公告)号：CN101315947B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810109584.0
申请日：2008-06-02
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/285 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种作为栅极绝缘膜的高性能氧化硅膜并且提供一种具有半导体器件，所述的氧化硅膜和半导体器件具有优良的电特性。根据本发明的氧化硅膜在膜中包含CO2，其中，当红外吸收光谱中的峰的积分强度由(半高峰宽)×(峰高)表示时，相对于在波数1,060cm-1附近出现的SiO2-特征峰的积分强度，在波数2,340cm-1附近出现的CO2-特征峰的积分强度是8E-4倍以上。
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公开(公告)号：CN102043281A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010510294.4
申请日：2010-10-13
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133524 , G02F1/13476 , G02F1/135
Abstract: 本发明的图像形成设备包括：功能元件基板，在所述功能元件基板中以预定周期布置像素；形成在所述功能元件基板上的相对基板；和光学装置，所述光学装置布置在所述相对基板上，所述光学装置包括以布置所述像素的所述周期的1/n(n为整数)的周期布置的透明层和光学吸收层，并且所述光学装置限制透射光的扩散。
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公开(公告)号：CN101989619A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010241990.X
申请日：2010-07-29
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/1251 , H01L27/1214 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 薄膜晶体管(TFT)基底包括在相同基底上的第一和第二TFT。第一TFT具有这样的特征，从而在基底和第一绝缘层之间设有下导电层或底部栅极电极层，而在形成在位于第一绝缘层上的半导体层上的第二绝缘层上设有上导电层或顶部栅极电极层。第一导电层具有第一和第二区域，从而第一区域在不与半导体层重叠的情况下与所述第一导电层重叠，而第二区域与半导体层重叠，并且第一区域大于第二区域，而第二绝缘层比第一绝缘层更薄。除了没有栅极电极层之外，第二TFT具有与第一TFT相同的结构。
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公开(公告)号：CN101981676A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111418.7
申请日：2009-03-30
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78621 , G02F2001/13685 , H01L21/26506 , H01L21/26513
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101806982A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010114798.4
申请日：2010-02-20
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/136286 , G02F2001/136295
Abstract: 本发明涉及液晶显示器件和使用该器件的电子装置及其制造方法。提供了一种IPS模式的液晶显示器件，其包括像素阵列，通过使多条视频信号线与多条扫描信号线彼此交叉，像素这列在第一基板上排列成矩阵图案。这些像素中的每一个都至少设置有切换元件。在两种信号线上设置透明绝缘膜，并且在该透明绝缘膜上设置多个像素电极、公共电极和公共线。这些公共线被形成为栅格状图案，从而这些公共线中的在一个方向上延伸的第一组由与金属相比对可见光具有更低反射率的第一导体制成，而这些公共线中的第二组由包括金属层的第二导体制成，使得所述第一组与所述第二组沿着所述视频信号线和所述扫描信号线彼此交叉。
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公开(公告)号：CN101398564A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810161071.4
申请日：2008-09-26
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/133 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133555
Abstract: 为了抑制暗态时的光泄漏，提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置的反射区中的电极可以高精度形成。该液晶显示装置具有在像素内的至少对应于反射板形成部分的反射区，反射区以横向电场模式来驱动并为常白。驱动电极用于向反射区的液晶层形成电场，并利用不透明导电体通过绝缘膜形成在反射板上。
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公开(公告)号：CN100459169C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610101939.2
申请日：2006-07-11
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/311
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/66757
Abstract: 在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。
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公开(公告)号：CN101315947A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810109584.0
申请日：2008-06-02
Applicant: NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/285 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种作为栅极绝缘膜的高性能氧化硅膜并且提供一种具有半导体器件，所述的氧化硅膜和半导体器件具有优良的电特性。根据本发明的氧化硅膜在膜中包含CO2，其中，当红外吸收光谱中的峰的积分强度由(半高峰宽)×(峰高)表示时，相对于在波数1,060cm－1附近出现的SiO2－特征峰的积分强度，在波数2,340cm－1附近出现的CO2－特征峰的积分强度是8E－4倍以上。
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公开(公告)号：CN1897307A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101939.2
申请日：2006-07-11
Applicant: 日本电气株式会社 , NEC液晶技术株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/311
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/66757
Abstract: 在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。
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