公开(公告)号：CN101447527B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200810180178.3

申请日：2008-11-28

Applicant: OKI半导体株式会社

Inventor： 三浦规之

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/84 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明涉及光电二极管的制造方法及使用其而形成的光电二极管，该光电二极管的制造方法，包括：在硅半导体层的各扩散层的形成区域，以预定的浓度注入预定类型的杂质后，在硅半导体层上形成由具有透光性的绝缘材料构成的绝缘材料层的步骤；通过有选择地除去绝缘材料的蚀刻，在绝缘材料层的所述低浓度扩散层的形成区域形成开口部的步骤；把具有开口部的绝缘材料层作为掩模，通过有选择地除去硅的蚀刻，蚀刻低浓度扩散层的形成区域的硅半导体层，把低浓度扩散层的形成区域的硅半导体层薄膜化为预定的厚度的步骤。

公开(公告)号：CN101447527A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810180178.3

申请日：2008-11-28

Applicant: OKI半导体株式会社

Inventor： 三浦规之

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/84 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明涉及光电二极管的制造方法及使用其而形成的光电二极管，该光电二极管的制造方法，包括：在硅半导体层的各扩散层的形成区域，以预定的浓度注入预定类型的杂质后，在硅半导体层上形成由具有透光性的绝缘材料构成的绝缘材料层的步骤；通过有选择地除去绝缘材料的蚀刻，在绝缘材料层的所述低浓度扩散层的形成区域形成开口部的步骤；把具有开口部的绝缘材料层作为掩模，通过有选择地除去硅的蚀刻，蚀刻低浓度扩散层的形成区域的硅半导体层，把低浓度扩散层的形成区域的硅半导体层薄膜化为预定的厚度的步骤。