公开(公告)号：CN1945843B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200610154049.8

申请日：2006-09-20

Applicant: OKI半导体株式会社

Inventor： 袋武人 ,  冲原将生

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L27/0251 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/665

Abstract: 提供可以防止被制造工艺的等离子电流破坏，并且避免了二极管的耐压上升的半导体器件以及半导体器件的制造方法。半导体器件(10)，采用具有作为支撑衬底的硅衬底(101a)、硅衬底(101a)上的氧化膜(101b)、和氧化膜(101b)上的硅薄膜(101c)的SOI衬底101，并具有形成在它的硅薄膜(101c)上的输入端子IN(第2上层布线(134))，形成在硅薄膜(101c)上的Vss端子Tvss(第1上层布线(139))，形成在硅薄膜(101c)上并与输入端子IN和Vss端子Tvss连接的半导体元件(例如倒向器(11))，和形成在硅薄膜(101c)上并从Vss端子Tvss向输入端子IN正向连接的保护二极管(12)。