公开(公告)号：CN118786239A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202280093473.3

申请日：2022-04-04

Applicant: 国立大学法人丰桥技术科学大学 ,  OSG株式会社

Inventor： 泷川浩史 ,  坂东隆宏 ,  税木善则 ,  鬼头纯平 ,  桥本侑树 ,  杉田博昭 ,  仪间弘树

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/32

Abstract: 本发明的课题是提供一种成膜装置，通过在阴极部与被处理物之间配置具备产生磁场的功能的阳极部，能够减少从阴极放出的粒子向磁场产生部本身的附着，并且能够有效地形成作为从阴极放出的副产微粒子的小滴的附着少的蒸镀膜。解决问题的技术手段是成膜装置通过进行电弧放电而产生等离子体的等离子体产生单元，使构成阴极的阴极材料蒸发而在被处理物的表面蒸镀形成膜。等离子体产生单元具备阴极部、与阴极部具有适当间隔地配置的阳极部、磁场产生部及保护部件。磁场产生部由阳极部构成，或与阳极部一体地或者连续地构成，通过由电弧放电产生的电流而产生磁场。保护部件由阳极部的一部分构成，或者与阳极部电连接并且独立地构成，配置于等离子体流所流下的区域的外侧而保护磁场产生部的一部分或全部免受阴极材料的附着的影响。

公开(公告)号：CN118140006A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202180102635.0

申请日：2021-09-30

Applicant: OSG株式会社

Inventor： 足立佳亮 ,  仪间弘树 ,  杉田博昭

IPC: C23C14/06

Abstract: 硬质被膜32包含设置于基材30的表面的第1层34和设置于第1层34的表面的第2层36，第1层34为AlCrαN，第2层36为AlCrCN。另外，将第1层34的膜厚T1与第2层36的膜厚T2加起来的总膜厚T在0.5μm～9.0μm的范围内，第2层36的膜厚T2相对于总膜厚T的比例(T2/T)在5％～50％的范围内。另外，在X射线衍射峰中具有归属于(111)面和(200)面的峰，同时(111)面的峰强度SP1与(200)面的峰强度SP2的强度比(SP1/SP2)在0.1～20的范围内。采用这样的硬质被膜32，获得优异的耐久性。