公开(公告)号：CN100474563C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200580016672.0

申请日：2005-04-18

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 安娜·庞扎 ,  里卡多·德佩特罗 ,  皮特罗·蒙塔尼尼

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 一种制造半导体芯片内集成器件的工艺，包含：形成部分悬于半导体衬底(2)上方并通过临时锚点(10、15’)限制于所述衬底(2)的半导体层(5’)；将所述半导体层(5’)划分成横向相互分离的多个部分(13)；以及除去所述临时锚点(10、15’、38)以释放所述部分(13)，其中形成所述半导体层(5’)的所述步骤包含在形成所述半导体层(5’)之前制作多个掩埋腔(4’)，其中制作掩埋腔(4’)的所述步骤包含：在所述衬底(2)内挖开多个相邻的深沟槽(4)；生长外延层(5)以闭合所述深沟槽(4)；以及执行退火步骤，藉此由所述外延层(5)形成所述半导体层(5’)。

公开(公告)号：CN1985369A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200580016672.0

申请日：2005-04-18

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 安娜·庞扎 ,  里卡多·德佩特罗 ,  皮特罗·蒙塔尼尼

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 一种制造半导体芯片内的集成器件的工艺，包含：形成部分悬挂于半导体衬底(2)上方并通过临时锚点(10、15’)限制于所述衬底(2)的半导体层(5’)；将所述层(5’)划分成横向相互分离的多个部分(13)；以及除去所述临时锚点(10、15’、38)以释放所述部分(13)。