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公开(公告)号：CN1638271A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510003841.9
申请日：2005-01-07
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/02094 , H03H9/175 , H03H9/176
Abstract: 本发明涉及一种薄膜体波谐振器，通过改善音响多层膜来提高SMR型薄膜体波谐振器的谐振特性。该薄膜体波谐振器包括：基板(101)；由在基板(101)上设置的下部电极(102)、压电膜(103)及上部电极(104)构成的谐振部(120)；由在基板(101)和谐振部(120)之间设置的多个反射膜(111、112)构成的音响多层膜(110)。在本发明中，构成音响多层膜(110)的至少一个反射膜沿特定的结晶面取向，优选X射线摇摆曲线的半辐值设定为小于等于10°以下，更优选设定为小于等于3°。由此，与现有技术相比，由于提高了向基板(101)方向传播的体波的反射效率，所以就能够获得良好的谐振特性。
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公开(公告)号：CN1757158A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200480006162.0
申请日：2004-03-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明中的薄膜压电谐振器的制造方法，是在以覆盖形成在基体(2)之上的下部电极(3)的方式在基体(2)之上形成了压电膜(4)之后，将用于形成上部电极(6)的电极材料层(6b)形成在比压电膜(4)更靠近上侧的位置上，在电极材料层(6b)之上形成了规定形状的掩模之后，通过蚀刻电极材料层(6b)而形成上部电极(6)，从而制造薄膜压电谐振器(1)之际，在形成电极材料层(6b)的工序之前，在蚀刻电极材料层(6b)时，以覆盖压电膜(4)中至少上部电极(6)的非形成部位的方式形成用于保护压电膜(4)的保护层(5)，之后以覆盖保护层(5)的方式形成电极材料层(6b)。
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公开(公告)号：CN1667948A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510053685.7
申请日：2005-03-10
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的一实施方式的压电谐振器是通过在压电膜内部传输的体声波来得到预定谐振频率的信号的压电谐振器。该压电谐振器具有在预定方向堆积起来的多个转换器，体声波的传输面积在该体声波的传输方向发生变化。
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公开(公告)号：CN100511990C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510053685.7
申请日：2005-03-10
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的一实施方式的压电谐振器是通过在压电膜内部传输的体声波来得到预定谐振频率的信号的压电谐振器。该压电谐振器具有在预定方向堆积起来的多个转换器，体声波的传输面积在该体声波的传输方向发生变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1638036A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510003842.3
申请日：2005-01-07
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H03H9/175 , H01L41/0477 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/02094
Abstract: 本发明提供一种能大幅度提高产品形状自由度的电子器件制造用结构体。根据本发明的电子器件制造用结构体，其特征在于，包括基板(11)；和在上述基板(11)上设置的导电膜(12)，其特征在于，上述导电膜对上述基板11)的粘接力小于等于0.1N/cm。根据本发明的电子器件制造用结构体，由于导电膜对基板的粘接力非常弱，所以能够从基板容易剥离导电膜。为此，能够在与成膜时所使用的基板不同的另一基板上形成电子器件，并能够大幅度提高产品形状的自由度。特别地，若位于基板侧的下部导电膜的粘接力为0.04N/cm，则能够从基板非常容易地剥离导电膜。
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公开(公告)号：CN100539014C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510003842.3
申请日：2005-01-07
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H03H9/175 , H01L41/0477 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/02094
Abstract: 本发明提供一种能大幅度提高产品形状自由度的电子器件制造用结构体。根据本发明的电子器件制造用结构体，其特征在于，包括基板(11)；和在上述基板(11)上设置的导电膜(12)，其特征在于，上述导电膜对上述基板11)的粘接力小于等于0.1N/cm。根据本发明的电子器件制造用结构体，由于导电膜对基板的粘接力非常弱，所以能够从基板容易剥离导电膜。为此，能够在与成膜时所使用的基板不同的另一基板上形成电子器件，并能够大幅度提高产品形状的自由度。特别地，若位于基板侧的下部导电膜的粘接力为0.04N/cm，则能够从基板非常容易地剥离导电膜。
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公开(公告)号：CN100499365C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510003841.9
申请日：2005-01-07
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/02094 , H03H9/175 , H03H9/176
Abstract: 本发明涉及一种薄膜体波谐振器，通过改善音响多层膜来提高SMR型薄膜体波谐振器的谐振特性。该薄膜体波谐振器包括：基板(101)；由在基板(101)上设置的下部电极(102)、压电膜(103)及上部电极(104)构成的谐振部(120)；由在基板(101)和谐振部(120)之间设置的多个反射膜(111、112)构成的音响多层膜(110)。在本发明中，构成音响多层膜(110)的至少一个反射膜沿特定的结晶面取向，优选X射线摇摆曲线的半辐值设定为小于等于10°以下，更优选设定为小于等于3°。由此，与现有技术相比，由于提高了向基板(101)方向传播的体波的反射效率，所以就能够获得良好的谐振特性。
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公开(公告)号：CN100386901C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200510052992.3
申请日：2005-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L41/316 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/175
Abstract: 本发明不使用外延生长法等高成本的成膜方法便可制作具有高结晶度的功能膜的电子元件。该元件具备衬底、设置在衬底上的下部导电膜、设置在下部导电膜上的功能膜以及设置在下部导电膜与功能膜之间的结晶性阻挡膜。根据本发明，由于下部导电膜的结晶度和材料的选择不会影响功能膜结晶度，因而能够将铝(Al)等廉价的金属用作下部导电膜的材料，并且采用低成本的方法也可以使之形成。因此，本发明不采用外延生长法等高成本的成膜方法便能够提高功能膜13的结晶度。作为结晶性阻挡膜，可以使用具有无定型结构的材料。
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公开(公告)号：CN1665043A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510052992.3
申请日：2005-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L41/316 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/175
Abstract: 本发明不使用外延生长法等高成本的成膜方法便可制作具有高结晶度的功能膜的电子元件。该元件具备衬底、设置在衬底上的下部导电膜、设置在下部导电膜上的功能膜以及设置在下部导电膜与功能膜之间的结晶性阻挡膜。根据本发明，由于下部导电膜的结晶度和材料的选择不会影响功能膜结晶度，因而能够将铝(Al)等廉价的金属用作下部导电膜的材料，并且采用低成本的方法也可以使之形成。因此，本发明不采用外延生长法等高成本的成膜方法便能够提高功能膜13的结晶度。作为结晶性阻挡膜，可以使用具有无定型结构的材料。
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