-
公开(公告)号：CN110880393B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201910747540.9
申请日：2019-08-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/147 , H01F1/153 , H01F3/08 , H01F27/255
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现高密度的软磁性体组合物、磁芯和线圈型电子部件。本发明的软磁性体组合物具有多个软磁性合金颗粒，软磁性合金颗粒含有元素M和铁，元素M的离子化倾向比硅强，元素M梯度在300以下。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110880394A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910747970.0
申请日：2019-08-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/147 , H01F1/153 , H01F3/08 , H01F27/255
Abstract: 本发明的目的在于：提供能够实现低磁芯损耗的软磁性体组合物、磁芯和线圈型电子部件。本发明的软磁性体组合物具有多个软磁性合金颗粒，软磁性合金颗粒含有元素M和铁，元素M的离子化倾向比硅强，在将软磁性合金颗粒之间的区域内的硅相对于元素M的质量比率的最大值设为(Si/M)MAX时，(Si/M)MAX满足1≤(Si/M)MAX≤10。
-
公开(公告)号：CN110880394B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201910747970.0
申请日：2019-08-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/147 , H01F1/153 , H01F3/08 , H01F27/255
Abstract: 本发明的目的在于：提供能够实现低磁芯损耗的软磁性体组合物、磁芯和线圈型电子部件。本发明的软磁性体组合物具有多个软磁性合金颗粒，软磁性合金颗粒含有元素M和铁，元素M的离子化倾向比硅强，在将软磁性合金颗粒之间的区域内的硅相对于元素M的质量比率的最大值设为(Si/M)MAX时，(Si/M)MAX满足1≤(Si/M)MAX≤10。
-
公开(公告)号：CN110880393A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910747540.9
申请日：2019-08-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/147 , H01F1/153 , H01F3/08 , H01F27/255
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现高密度的软磁性体组合物、磁芯和线圈型电子部件。本发明的软磁性体组合物具有多个软磁性合金颗粒，软磁性合金颗粒含有元素M和铁，元素M的离子化倾向比硅强，元素M梯度在300以下。
-
公开(公告)号：CN116825463A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310297365.4
申请日：2023-03-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/12 , H01F1/20 , H01F27/24 , H01F27/255
Abstract: 本发明的技术问题在于，提供一种能够提高直流叠加特性的软磁性成形体、磁芯及电子部件。软磁性成形体(12)具有：含有元素M的软磁性粒子(21)、和存在于软磁性粒子(21)的相互之间并覆盖软磁性粒子(21)的外周的粒间区域(31)。在软磁性成形体(12)的截面，软磁性粒子(21)的中心处的元素M的比例相对于构成软磁性成形体(12)的软磁性组合物中的元素M的比例在10％以上且70％以内的范围内。在软磁性成形体(12)的截面，存在于软磁性粒子(21)的周围的粒间区域(31)的各周长的平均在5μm以上且15.5μm以下的范围内。
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.018 seconds)
