-
公开(公告)号：CN117998967A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311440168.X
申请日：2023-11-01
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供了一种磁致伸缩常数dλ/dH大，并且能够进一步降低阈值磁场HTH的磁致伸缩膜和具有该磁致伸缩膜的电子器件。该磁致伸缩膜是在与膜厚的方向垂直的横截面，网眼状地观察到有助于铁磁性的特定元素比周围更富集的富集区域的磁致伸缩膜。
Search Results
1
records
(took 0.026 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
