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公开(公告)号:CN113115509B
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202110022120.1
申请日:2021-01-08
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明在具有在基板上交替层叠有多个导体层和多个绝缘层的构造的电子部件中,提高从侧面的散热性。电子部件(1)具备基板(2)、在基板(2)上交替层叠的多个导体层(M1~M4)以及多个绝缘层(11~14)。多个绝缘层(11~14)的侧面(11s~14s)具有比基板(2)的侧面(2s)后退的凹部(11a~14a)和从凹部(11a~14a)突出的凸部(11b~14b)。这样,由于绝缘层(11~14)的侧面(11s~14s)具有凹凸形状,因此侧面(11s~14s)的露出面积增加。由此,能够提高从侧面(11s~14s)的散热性。
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公开(公告)号:CN105323954B
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201510369523.8
申请日:2015-06-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P3/10 , B82Y30/00 , B82Y99/00 , H01P3/00 , H01P11/00 , H01Q1/368 , H01Q1/38 , Y10S977/742
Abstract: 本发明的目的在于提供一种交流电阻小并且难以断线的高频传输线路、天线、电子电路基板。高频传输线路(2)的特征在于:传输交流电信号,包含金属以及碳纳米管,碳纳米管偏在于垂直于交流电信号传输方向的高频传输线路(2)的截面的中央部(6)。
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公开(公告)号:CN101937752B
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201010211877.7
申请日:2010-06-23
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H02K1/2786 , B32B15/015 , C22C38/002 , C22C38/005 , C25D7/001 , H01F1/0577 , H01F7/0221 , H01F41/026 , H02K1/27 , Y10T428/265 , Y10T428/32
Abstract: 本发明涉及一种金属磁铁(10),其具有磁铁素体(12)以及磁铁素体(12)之上的覆盖层(14),覆盖层(14)的马氏硬度为2000N/mm2以上,并且覆盖层(14)的弹性回复率为25%以下。本发明还涉及一种具备金属磁铁(10)的马达。
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公开(公告)号:CN118765426A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202280092657.8
申请日:2022-12-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/33
Abstract: 本发明提供能够将一对端子电极配置于同一面的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备具有未被粗面化的中心部分(13)和被粗面化的上表面(11)的金属箔(10)、覆盖金属箔(10)的被粗面化的上表面(11)的电介质膜(D)、与金属箔(10)相接的电极层(31)、与电介质膜(D)相接而不与金属箔(10)相接的电极层(32)、以及位于电极层(31、32)间的绝缘性部件(21)。金属箔(10)具有贯通被粗面化的金属箔(10)的表层部分而设置、且使未被粗面化的中心部分(13)露出的槽(14)。绝缘性部件(21)与在槽(14)的底部露出的金属箔(10)的中心部分(13)相接。
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公开(公告)号:CN113141701B
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202110061537.9
申请日:2021-01-18
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明在具有在基板上交替层叠有多个导体层和多个绝缘层的构造的电子部件中,提高从侧面的散热性。电子部件(1)具备基板(2)、在基板(2)上交替层叠的多个导体层(M1~M4)以及多个绝缘层(11~14)。多个绝缘层(11~14)的侧面(11s~14s)具有比基板(2)的侧面(2s)更后退的凹部(11a~14a)和从凹部(11a~14a)突出的凸部(11b~14b)。凹部(11a)被由无机绝缘材料构成的电介质膜(4)覆盖。这样,由于绝缘层(11~14)的侧面(11s~14s)具有凹凸形状,因此侧面(11s~14s)的露出面积增加。由此,能够提高从侧面(11s~14s)的散热性。而且,能够通过设置于凹部(11a)的电介质膜(4)提高刚性,并且能够保护绝缘层(11)。
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公开(公告)号:CN118696386A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202280091841.0
申请日:2022-12-02
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供能够将一对端子电极配置于同一面的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备具有未被粗面化的中心部分(13)和被粗面化的上表面(11)的金属箔(10)、覆盖金属箔(10)的被粗面化的上表面(11)的电介质膜(D)、经由设置于电介质膜(D)的开口部与金属箔(10)的未被粗面化的中心部分(13)相接的电极层(31)、以及与电介质膜(D)相接而不与金属箔(10)相接的电极层(32)。金属箔(10)的中心部分(13)的、与电极层(31)重叠的位置处的厚度(T1)比与电极层(32)重叠的位置处的厚度(T2)厚。
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公开(公告)号:CN115720677A
公开(公告)日:2023-02-28
申请号:CN202080102680.1
申请日:2020-12-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/33
Abstract: 本发明提供不易产生电极层的剥离的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备:金属箔(10),其上表面(11)被粗面化;电介质膜(D),其覆盖金属箔(10)的上表面(11),具有使金属箔(10)局部露出的开口部;第一电极层,其经由开口部与金属箔(10)相接,并且与电介质膜(D)相接;第二电极层,其不与金属箔(10)相接而与电介质膜(D)相接。由此,能够在金属箔(10)的上表面(11)配置第一及第二电极层双方。而且,第一电极层不仅与金属箔(10)相接,而且还与电介质膜(D)相接,因此,不易产生第一电极层的剥离。
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公开(公告)号:CN110246693A
公开(公告)日:2019-09-17
申请号:CN201910171089.0
申请日:2019-03-07
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种薄膜电容器的制造方法,该薄膜电容器具备将至少一个电介质层夹持于多个电极层中包含的一对电极层的电容部,该制造方法包括:层叠工序,将多个电极层和成为电介质层的电介质膜交替层叠而形成成为电容部的层叠体;第一蚀刻工序,形成层叠体中沿层叠方向延伸的开口,在开口的底面,使层叠于多个电极层中的一个电极层的正上方的电介质膜露出;第二蚀刻工序,在开口的底面使一个电极层露出。在第二蚀刻工序中,一个电极层的蚀刻速率比电介质膜的蚀刻速率低。
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公开(公告)号:CN110024066A
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201880004510.2
申请日:2018-02-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/33
Abstract: 在薄膜电容器(1)中,电极端子层(30)和电容部(10)的电极层(11)通过沿绝缘层(40)的厚度方向贯穿设置的通孔导体(即,第一配线部(43A)和第二配线部(43B))分别连接到电极端子(20A~20C),由通孔导体(43A、43B)实现沿厚度方向的短电路配线。在薄膜电容器(1)中,旨在实现多个电极端子(20A~20C)的多端子化并实现电路配线的缩短,从而可以获得具有低ESL的薄膜电容器。
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公开(公告)号:CN102709020B
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201210082504.3
申请日:2012-03-26
Applicant: TDK株式会社
Inventor: 吉田健一
CPC classification number: H01F41/026 , H01F1/0577 , H01F7/0221 , H01F41/26 , Y10T428/325
Abstract: 本发明提供了一种兼备优良的耐蚀性和粘合性的磁铁构件。本发明所涉及的磁铁构件(30)是具备包含稀土类磁铁的磁铁素体(32)、以及包含Ni且覆盖磁铁素体(32)的镀金膜(34)的磁铁构件,在磁铁素体(32)的容易磁化方向(M)上具有其垂线的磁铁构件的面(S)中,位于面(S)的周缘部(38)的镀金膜(34)中的硫磺的含有率,比位于面(S)的中央部(36)的镀金膜(34)中的硫磺的含有率低。
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