公开(公告)号：CN116546724A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310048239.5

申请日：2023-01-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 葛西谅平 ,  渡边贵志 ,  谷口晋 ,  水户瀬智久 ,  堀田裕平

IPC: H05K1/11 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明提供一种接合结构，将电子部件和配线基板接合，其中，具备：第一层，其设置于电子部件及配线基板的一侧，由含有Sn的第一金属构成；第二层，其设置于电子部件及配线基板的另一侧，由与Sn形成金属间化合物的第二金属构成；以及第三层，其设置于第一层和第二层之间的接合界面，由第一金属和第二金属的金属间化合物构成，第三层的平均厚度为0.1μm以上且0.5μm以下。

公开(公告)号：CN119256627A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202380040283.X

申请日：2023-05-10

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 和田由香里 ,  关映子 ,  堀田裕平 ,  佐藤淳

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/18 ,  H05K3/34

Abstract: 本发明的电路基板具备：基材；至少一对端子，其设置于基材上；接合材，其配置于端子上，且包含金属元素；及绝缘材料的壁，其自基材朝与该基材的主面正交的高度方向立起；且一对端子及接合材配置于壁内，在壁中的至少一个壁框部，形成至少一个自内周面贯通至外周面的槽部。

公开(公告)号：CN118891964A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380027650.2

申请日：2023-03-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 水户瀬智久 ,  池部桐生 ,  渡边贵志 ,  堀田裕平

IPC: H05K3/32 ,  H05K3/34

Abstract: 本发明的接合构造将电子部件与配线基板接合而成，且自电子部件侧依序具备：包含与Sn形成金属间化合物的金属的第1金属层、由包含Sn的金属间化合物构成的金属间化合物层、及包含Sn的第2金属层，第2金属层的厚度为第1金属层、金属间化合物层及第2金属层的厚度的合计的50％以下。