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公开(公告)号:CN102394174B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201110197907.8
申请日:2011-07-11
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/12 , H01F17/0013 , H01F27/292 , H01G4/005 , H01G4/232
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电子部件(100),该陶瓷电子部件(100)具备埋设有含有金属成分的内部电极的陶瓷素体(1)、以分别覆盖内部电极露出的陶瓷素体的两端面(11)的方式设置的一对端子电极(3);端子电极(3)从陶瓷素体(1)侧开始具有第1电极层和将导体生片烧成而形成的第2电极层,第2电极层含有从内部电极扩散的金属成分。
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公开(公告)号:CN106057223B
公开(公告)日:2018-06-26
申请号:CN201610206445.4
申请日:2016-04-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B33/14
CPC classification number: G11B33/1426 , G11B17/00 , G11B25/043 , G11B33/1446 , G11B33/148
Abstract: 本发明涉及一种磁盘装置用整流部件,作为磁盘用整流部件的扰流器(40)具备与磁盘(10)相对配置的平板状的板部(41)和支撑该板部(41)的支撑部(42),并且包含树脂制的主体部(401)和覆盖主体部(401)的表面整个面的金属镀层(402)。
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公开(公告)号:CN120035029A
公开(公告)日:2025-05-23
申请号:CN202411651498.8
申请日:2024-11-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的电路基板具备:基材,其具有主面;第一端子及第二端子,其设于基材的主面上;以及绝缘材料的壁,其设于基材的主面上,壁具有至少一个从内周面贯通至外周面的槽部,第一端子及第二端子配置于被壁包围的腔内,并且,从与基材的主面正交的第一方向观察,在设定成为外接于壁的内周面的最小面积的矩形状的基准形状的情况下,第一端子及第二端子中的至少一个端子具有:经由槽部,从基准形状向外周侧配置的部分。
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公开(公告)号:CN117337481A
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202280035575.X
申请日:2022-03-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供半导体元件和其制造方法。在半导体元件(1)中,比第一电极(30)高的第二电极(40)与第一电极(30)同时形成,第一电极(30)和第二电极(40)的上表面(30a、40a)的高度位置(h1、h2)大致一致。在半导体元件(1)中,因为能够同时形成这样的第一电极(30)和第二电极(40),能够以更少的工序形成具有第一电极(30)和第二电极(40)的半导体元件(1)。
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公开(公告)号:CN116546724A
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN202310048239.5
申请日:2023-01-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种接合结构,将电子部件和配线基板接合,其中,具备:第一层,其设置于电子部件及配线基板的一侧,由含有Sn的第一金属构成;第二层,其设置于电子部件及配线基板的另一侧,由与Sn形成金属间化合物的第二金属构成;以及第三层,其设置于第一层和第二层之间的接合界面,由第一金属和第二金属的金属间化合物构成,第三层的平均厚度为0.1μm以上且0.5μm以下。
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公开(公告)号:CN116349007A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202180070878.0
申请日:2021-10-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L23/12
Abstract: 本发明的安装基板具备:具有至少一对第1端子的电子部件、及具有至少一对第2端子的电路基板,第1端子及第2端子通过接合材料接合,第1端子、第2端子及接合材料通过配置在形成于树脂层的凹部内,而由树脂层包围周围,在将第1端子、第2端子、及接合材料的合计厚度设为尺寸h1的情况下,尺寸h1为1μm以上且20μm以下,在将第1端子的宽度设为尺寸d1,并将树脂层的凹部宽度设为尺寸d2的情况下,(尺寸d2‑尺寸d1)的值为10μm以下。
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