公开(公告)号：CN105745760B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201480063657.0

申请日：2014-11-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  及川亨 ,  小池勇人

IPC: H01L29/82 ,  G11B5/39 ,  H01L29/66

Abstract: 在使用了半导体的自旋传导元件中，与现有的GMR元件或TMR元件相比，存在元件电阻变大，并且难以获得大的磁阻比问题。本发明涉及一种磁阻效应元件，其特征在于：具备半导体通道层3、被设置于半导体通道层3上的第1强磁性层12A和与第1强磁性层12A分开设置的第2强磁性层12B、与第1强磁性层12A以及第2强磁性层12B分开设置的非磁性的第1参考电极20，电流经由半导体通道层3从第2强磁性层12B被输入到第1强磁性层12A，并输出第2强磁性层12B与第1参考电极20之间的电压。

公开(公告)号：CN105745760A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201480063657.0

申请日：2014-11-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  及川亨 ,  小池勇人

IPC: H01L29/82 ,  G11B5/39 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L43/08 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/82 ,  H01L43/02

Abstract: 在使用了半导体的自旋传导元件中，与现有的GMR元件或TMR元件相比，存在元件电阻变大，并且难以获得大的磁阻比问题。本发明涉及一种磁阻效应元件，其特征在于：具备半导体通道层3、被设置于半导体通道层3上的第1强磁性层12A和与第1强磁性层12A分开设置的第2强磁性层12B、与第1强磁性层12A以及第2强磁性层12B分开设置的非磁性的第1参考电极20，电流经由半导体通道层3从第2强磁性层12B被输入到第1强磁性层12A，并输出第2强磁性层12B与第1参考电极20之间的电压。