公开(公告)号：CN1706773A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510079161.5

申请日：2001-11-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 人见笃志 ,  松岡大 ,  千田直树 ,  小笠原稔 ,  竹岛勉 ,  直井克夫

IPC: C04B35/45 ,  C04B35/468 ,  C04B35/47

Abstract: 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分；第二成分和第三成分至少之一，第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成，第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成；以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40，0.30≤b/(a+b+c)≤0.50，0.20≤c/(a+b+c)≤0.50，0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16，1.0≤(e+f)/d×100≤10.0，以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成，并具有形成压缩应力的表面。

公开(公告)号：CN100497250C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200510079161.5

申请日：2001-11-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 人见笃志 ,  松岡大 ,  千田直树 ,  小笠原稔 ,  竹岛勉 ,  直井克夫

IPC: C04B35/45 ,  C04B35/468 ,  C04B35/47

Abstract: 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分；第二成分和第三成分至少之一，第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成，第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成；以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40，0.30≤b/(a+b+c)≤0.50，0.20≤c/(a+b+c)≤0.50，0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16，1.0≤(e+f)/d×100≤10.0，以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成，并具有形成压缩应力的表面。

公开(公告)号：CN100442400C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN01137696.1

申请日：2001-11-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 人见笃志 ,  松岡大 ,  千田直树 ,  小笠原稔 ,  竹岛勉 ,  直井克夫

IPC: H01C7/10

Abstract: 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分；第二成分和第三成分至少之一，第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成，第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成；以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40，0.30≤b/(a+b+c)≤0.50，0.20≤c/(a+b+c)≤0.50，0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16，1.0≤(e+f)/d×100≤10.0，以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成，并具有形成压缩应力的表面。

公开(公告)号：CN1353097A

公开(公告)日：2002-06-12

申请号：CN01137696.1

申请日：2001-11-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 人见笃志 ,  松岡大 ,  千田直树 ,  小笠原稔 ,  竹岛勉 ,  直井克夫

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/465 ,  H01C7/10

Abstract: 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分;第二成分和第三成分至少之一,第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成,第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成;以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40,0.30≤b/(a+b+c)≤0.50,0.20≤c/(a+b+c)≤0.50,0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16,1.0≤(e+f)/d×100≤10.0,以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成,并具有形成压缩应力的表面。