压敏非线性电阻器陶瓷,制造方法和压敏非线性电阻器

    公开(公告)号:CN100442400C

    公开(公告)日:2008-12-10

    申请号:CN01137696.1

    申请日:2001-11-15

    Abstract: 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分;第二成分和第三成分至少之一,第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成,第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成;以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40,0.30≤b/(a+b+c)≤0.50,0.20≤c/(a+b+c)≤0.50,0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16,1.0≤(e+f)/d×100≤10.0,以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成,并具有形成压缩应力的表面。

    压敏非线性电阻器陶瓷,制造方法和压敏非线性电阻器

    公开(公告)号:CN1706773A

    公开(公告)日:2005-12-14

    申请号:CN200510079161.5

    申请日:2001-11-15

    Abstract: 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分;第二成分和第三成分至少之一,第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成,第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成;以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40,0.30≤b/(a+b+c)≤0.50,0.20≤c/(a+b+c)≤0.50,0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16,1.0≤(e+f)/d×100≤10.0,以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成,并具有形成压缩应力的表面。

    压敏非线性电阻器陶瓷
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100497250C

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200510079161.5

    申请日:2001-11-15

    Abstract: 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分;第二成分和第三成分至少之一,第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成,第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成;以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40,0.30≤b/(a+b+c)≤0.50,0.20≤c/(a+b+c)≤0.50,0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16,1.0≤(e+f)/d×100≤10.0,以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成,并具有形成压缩应力的表面。

    层叠型PTC热敏电阻器及其制造方法

    公开(公告)号:CN101325105A

    公开(公告)日:2008-12-17

    申请号:CN200810125637.8

    申请日:2008-06-12

    Abstract: 本发明涉及层叠型PTC热敏电阻器及其制造方法,该层叠型PTC热敏电阻器特征在于:具有,将半导体陶瓷层(2)和内部电极(3)交替层叠的本体(4),以及分别设置于本体(4)的两个端面(4a、4b),并与内部电极(3)电连接的一对外部电极(5a、5b)。半导体陶瓷层(2),由含有钛酸钡类化合物的结晶粒的、多孔质的烧结体构成,碱金属元素偏向分布于该烧结体的晶粒边界以及空隙部的至少的一者。

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