单晶荧光体及晶体的制造方法

    公开(公告)号:CN113583674A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110452316.4

    申请日:2021-04-26

    Inventor: 照井达也

    Abstract: 本发明提供一种能够得到比较大的尺寸且更均匀的组成的晶体的晶体的制造方法和利用该制造方法得到的新型单晶荧光体。单晶荧光体具有由YAG或LuAG构成的主成分和包含Ce、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Tm及Yb中的至少一种元素的副成分。在单晶荧光体的横截面中,副成分均匀分布的均匀浓度区域位于横截面的中央部,相对于横截面的截面积,均匀浓度区域的面积比例为35%以上。

    荧光体和光源装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111560248A

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN202010086411.2

    申请日:2020-02-11

    Abstract: 本发明的目的在于提供热导率和发光特性高的荧光体和具有该荧光体的光源装置。本发明的荧光体具有高浓度区域和1个以上的低浓度区域,其中,低浓度区域的添加物的浓度比高浓度区域低,高浓度区域包围1个以上的低浓度区域。

    坩埚及晶体制造装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113584575A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110480369.7

    申请日:2021-04-30

    Inventor: 照井达也

    Abstract: 本发明提供一种坩埚及晶体制造装置,其能够提高由晶种引出的熔液的温度分布的均匀化并得到更均匀的组成的晶体。是具有贮存成为晶体的原料的熔液的熔液贮存部(24)、和控制晶体的形状的模具部(34)的坩埚。模具部(34)具有使熔液(30)从熔液贮存部(24)的底面所具备的贮存部流出口(32)通向模具部(34)的端面所具备的模具流出口(38)的模具流路(36),模具流路(36)具有流路截面积小于模具流出口(38)的开口面积的狭窄部(36a1)。

    荧光体及光源装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116640574A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202211038454.9

    申请日:2022-08-29

    Abstract: 本发明提供一种荧光体,其第一相和第二相呈三维错落,其中,荧光体还具有与第一相及第二相不同的第三相,在规定范围的截面视野中,荧光体中的第三相的面积比率为0.5~3.0%,第三相的至少一部分是存在于将第一相的一部分和第一相的另一部分桥接的位置的桥接第三相。

    荧光体以及光源装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111886319A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201980021037.3

    申请日:2019-03-11

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过使高的Ce含量成为可能,从而具备高的内部量子产率,并且能够使黄色荧光的荧光波长移动至长波长侧,并且耐温度消光特性良好,且蓝光透过率优异的荧光体、以及具有该荧光体的光源装置。所述荧光体由Ce:YAG单晶构成,当将Y和Ce的合计含量设为100摩尔份时,Ce的含量为0.7摩尔份以上。

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