中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

5 records (took 0.02 seconds)

    半导体元件和其制造方法
    1.
    发明公开
    半导体元件和其制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117337481A

    公开(公告)日：2024-01-02

    申请号：CN202280035575.X

    申请日：2022-03-25

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 田中浩介 ,  佐藤真人 ,  小野研太 ,  谷口晋

    IPC: H01L21/60

    Abstract: 本发明提供半导体元件和其制造方法。在半导体元件(1)中，比第一电极(30)高的第二电极(40)与第一电极(30)同时形成，第一电极(30)和第二电极(40)的上表面(30a、40a)的高度位置(h1、h2)大致一致。在半导体元件(1)中，因为能够同时形成这样的第一电极(30)和第二电极(40)，能够以更少的工序形成具有第一电极(30)和第二电极(40)的半导体元件(1)。

    电子部件
    3.
    发明公开
    电子部件 审中-实审

    公开(公告)号：CN117321745A

    公开(公告)日：2023-12-29

    申请号：CN202280034429.5

    申请日：2022-03-25

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 田中浩介 ,  佐藤真人 ,  小野研太 ,  渡边贵志

    IPC: H01L21/60

    Abstract: 在本发明的电子部件(1)中，防扩散层(35)的第二部分(37)与基材(5)的主面(5a)平行地延伸。在将电子部件(1)表面安装于安装基板时，在电子部件(1)的电极(30A、30B)和安装基板的接地电极之间介设有焊料等导电性的接合材料。当防扩散层(35)和基板(10)之间的接合面较宽时，接合材料的金属成分难以通过接合面(S)到达电极(30A、30B)的主体部(31)。因此，抑制了接合材料的金属成分扩散到主体部(31)的情况，并抑制了扩散所引起的电极(30A、30B)的强度降低。

    荧光体以及光源装置
    4.
    发明公开
    荧光体以及光源装置 无效

    公开(公告)号：CN111886319A

    公开(公告)日：2020-11-03

    申请号：CN201980021037.3

    申请日：2019-03-11

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 照井达也 ,  佐藤真人

    IPC: C09K11/80 ,  H01L33/50

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过使高的Ce含量成为可能，从而具备高的内部量子产率，并且能够使黄色荧光的荧光波长移动至长波长侧，并且耐温度消光特性良好，且蓝光透过率优异的荧光体、以及具有该荧光体的光源装置。所述荧光体由Ce:YAG单晶构成，当将Y和Ce的合计含量设为100摩尔份时，Ce的含量为0.7摩尔份以上。

Patent Agency Ranking