公开(公告)号：CN110521004A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201880022742.0

申请日：2018-01-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平林润 ,  藤田实 ,  福光由章

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/365 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供沿着侧面的漏电流或侧面的破裂、缺口、裂开等难以产生的纵型结构的半导体装置。半导体装置具备：半导体层(20)，其具有第一及第二电极形成面(20a、20b)和侧面(20c)；阳极电极(40)，其形成于第一电极形成面(20a)；阴极电极(50)，其形成于第二电极形成面(20b)；绝缘膜(30)，其以覆盖第一边缘(E1)的方式从第一电极形成面(20a)遍及侧面(20c)连续地形成。根据本发明，因为半导体层(20)的侧面(20c)被绝缘膜(30)覆盖，所以沿着侧面(20c)的漏电流降低。另外，因为侧面(20c)被绝缘膜(30)保护，所以侧面(20c)的破裂、缺口、裂开等难以产生。

公开(公告)号：CN110521004B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN201880022742.0

申请日：2018-01-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平林润 ,  藤田实 ,  福光由章

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/365 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供沿着侧面的漏电流或侧面的破裂、缺口、裂开等难以产生的纵型结构的半导体装置。半导体装置具备：半导体层(20)，其具有第一及第二电极形成面(20a、20b)和侧面(20c)；阳极电极(40)，其形成于第一电极形成面(20a)；阴极电极(50)，其形成于第二电极形成面(20b)；绝缘膜(30)，其以覆盖第一边缘(E1)的方式从第一电极形成面(20a)遍及侧面(20c)连续地形成。根据本发明，因为半导体层(20)的侧面(20c)被绝缘膜(30)覆盖，所以沿着侧面(20c)的漏电流降低。另外，因为侧面(20c)被绝缘膜(30)保护，所以侧面(20c)的破裂、缺口、裂开等难以产生。

公开(公告)号：CN1084082C

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN97117200.5

申请日：1997-08-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中井信也 ,  胜俣正史 ,  服部泰幸 ,  永井健太 ,  福光由章 ,  石塚武彦

IPC: H03B5/18

CPC classification number: H03B5/1847 ,  H03B5/1203 ,  H03B5/1231 ,  H03B5/124 ,  H03B5/1243 ,  H03B5/1256 ,  H03B5/1293 ,  H03B2200/0024 ,  H03B2200/004 ,  H03B2201/011 ,  H03B2201/012 ,  H03B2201/0208 ,  H03B2201/03

Abstract: 一种压控振荡器包括产生其频率随着控制电压而变化的振荡信号用的谐振器、放大振荡信号用的晶体管、调整振荡信号的频率用的振荡频率调整元件、以及调整振荡信号的压控灵敏度用的压控灵敏度调整元件。

公开(公告)号：CN1179646A

公开(公告)日：1998-04-22

申请号：CN97117200.5

申请日：1997-08-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 中井信也 ,  胜俣正史 ,  服部泰幸 ,  永井健太 ,  福光由章 ,  石武彦

IPC: H03B5/30

CPC classification number: H03B5/1847 ,  H03B5/1203 ,  H03B5/1231 ,  H03B5/124 ,  H03B5/1243 ,  H03B5/1256 ,  H03B5/1293 ,  H03B2200/0024 ,  H03B2200/004 ,  H03B2201/011 ,  H03B2201/012 ,  H03B2201/0208 ,  H03B2201/03

Abstract: 一种压控振荡器包括产生其频率随着控制电压而变化的振荡信号用的谐振器、放大振荡信号用的晶体管、调整振荡信号的频率用的振荡频率调整元件、以及调整振荡信号的压控灵敏度用的压控灵敏度调整元件。