公开(公告)号：CN1848245A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610072053.X

申请日：2006-04-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 猿木俊司 ,  稻毛健治 ,  桑岛哲哉 ,  清野浩 ,  田上胜通 ,  福田一正 ,  河野雅秀

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/455 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/303 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种具有充分减小元件阻抗和充分限制爆音噪声的TMR(隧道磁阻)效应元件，其包括主要由包含大量电荷位置的金属氧化物构成的隧道阻挡层。该电荷位置的密度n和该电荷位置所捕获的电子的迁移率μ满足关系：0＜(nS1－1－nS2－1)－1·(μ0－μ)·(nμ)－1＜0.2，其中nS1和nS2分别是在读取信号期间当元件阻抗为最小时的隧道电子的密度和当元件阻抗为最大时的隧道电子的密度，并且μ0是电子在未被捕获时的迁移率。

公开(公告)号：CN100385504C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200610072053.X

申请日：2006-04-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 猿木俊司 ,  稻毛健治 ,  桑岛哲哉 ,  清野浩 ,  田上胜通 ,  福田一正 ,  河野雅秀

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/455 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/303 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种具有充分减小元件阻抗和充分限制爆音噪声的TMR(隧道磁阻)效应元件，其包括主要由包含大量电荷位置的金属氧化物构成的隧道阻挡层。该电荷位置的密度n和该电荷位置所捕获的电子的迁移率μ满足关系：0＜(nS1-1-nS2-1)-1·(μ0-μ)·(nμ)-1＜0.2，其中nS1和nS2分别是在读取信号期间当元件阻抗为最小时的隧道电子的密度和当元件阻抗为最大时的隧道电子的密度，并且μ0是电子在未被捕获时的迁移率。