公开(公告)号：CN1188838C

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN00101177.4

申请日：2000-01-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蜂须贺望 ,  稻毛健治 ,  前田寿昭

IPC: G11B5/455 ,  G11B5/33 ,  G01R33/12

CPC classification number: G11B5/3166 ,  G11B5/455 ,  G11B2005/0016

Abstract: 一种用来试验带有一个MR元件和一个感应元件的组合型磁头的方法，包括：一个电流施加步骤，把电流施加到感应元件上，而不把外部磁场施加到磁头上；和一个测量步骤，在电流施加步骤结束之后，测量MR元件的输出特性。

公开(公告)号：CN115840173A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211150603.0

申请日：2022-09-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 礒田刚大 ,  太田宪和 ,  高野大地 ,  稻毛健治

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器具备由多个MR元件构成的多个电阻部、和分别具有用于对多个MR元件检测对象磁场的特定分量的结构的多个凸面。多个MR元件分割成与多个电阻部对应的第一～第四区域而配置。多个凸面包含遍及第一～第四区域中的至少两个区域延伸的结构物。

公开(公告)号：CN1707619A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510070265.X

申请日：2005-05-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田宪和 ,  稻毛健治 ,  大池太郎

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/60 ,  G11B21/21

CPC classification number: G11B5/3136 ,  G11B5/314 ,  G11B5/4826 ,  G11B5/6064

Abstract: 一种薄膜磁头包括至少一个感应写头元件和至少一个读磁头元件，并且通过加热能够控制在磁记录媒体和至少一个读磁头元件之间的间距。间距的增加SG(nm/℃)大于通过下面的表达式界定的间距增加阈值SGTHLD(nm/℃)：SGLIMT＝A*dPTP+B；A＝1.4642E－02*exp(－6.6769E－05*LRDMF)；B＝4.9602E－01*exp(－2.0423E－03*LRDMF)这里，dPTP表示通过加热，至少一个感应写头元件和/或至少一个读磁头元件的顶端的凸伸的变化量(nm)，LRDMF表示在最大记录频率的一半频率处的线记录密度(kFCI)。

公开(公告)号：CN115840175A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211154919.7

申请日：2022-09-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原弘道 ,  高杉圭祐 ,  礒田刚大 ,  稻毛健治

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明涉及一种传感器。磁传感器具备包含平坦部和突出部的绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。突出部具有第一倾斜面和第二倾斜面。第一MR元件配置在第一倾斜面之上。第二MR元件配置在第二倾斜面之上。突出部沿着与基板的上表面平行的第一方向延伸，并且包含在突出部中的第一方向的端部分别向与基板的上表面平行的方向凹陷的多个凹部。

公开(公告)号：CN1262505A

公开(公告)日：2000-08-09

申请号：CN00101177.4

申请日：2000-01-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蜂须贺望 ,  稻毛健治 ,  前田寿昭

IPC: G11B5/455 ,  G11B5/33 ,  G01R33/12

CPC classification number: G11B5/3166 ,  G11B5/455 ,  G11B2005/0016

Abstract: 一种用来试验带有一个MR元件和一个感应元件的组合型磁头的方法,包括:一个电流施加步骤,把电流施加到感应元件上,而不把外部磁场施加到磁头上;和一个测量步骤,在电流施加步骤结束之后,测量MR元件的输出特性。

公开(公告)号：CN100370522C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200510078965.3

申请日：2005-06-21

Applicant: TDK株式会社 ,  新科实业有限公司

Inventor： 蜂须贺望 ,  稻毛健治 ,  高桥法男 ,  清水达司 ,  黃柏坚

IPC: G11B5/455 ,  G11B5/39 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种用于测试TMR元件的方法，该方法包括：测量步骤，通过将具有彼此不同电流值的多个感测电流馈送通过TMR元件来测量TMR元件的多个电阻；计算步骤，由所测TMR效应元件的多个电阻计算电阻变化率；和评估步骤，使用计算出的电阻变化率对TMR元件进行评估。

公开(公告)号：CN1848245A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610072053.X

申请日：2006-04-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 猿木俊司 ,  稻毛健治 ,  桑岛哲哉 ,  清野浩 ,  田上胜通 ,  福田一正 ,  河野雅秀

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/455 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/303 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种具有充分减小元件阻抗和充分限制爆音噪声的TMR(隧道磁阻)效应元件，其包括主要由包含大量电荷位置的金属氧化物构成的隧道阻挡层。该电荷位置的密度n和该电荷位置所捕获的电子的迁移率μ满足关系：0＜(nS1－1－nS2－1)－1·(μ0－μ)·(nμ)－1＜0.2，其中nS1和nS2分别是在读取信号期间当元件阻抗为最小时的隧道电子的密度和当元件阻抗为最大时的隧道电子的密度，并且μ0是电子在未被捕获时的迁移率。

公开(公告)号：CN1728240A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510078965.3

申请日：2005-06-21

Applicant: TDK株式会社 ,  新科实业有限公司

Inventor： 蜂须贺望 ,  稻毛健治 ,  高桥法男 ,  清水达司 ,  黃柏坚

IPC: G11B5/455 ,  G11B5/39 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种用于测试TMR元件的方法，该方法包括：测量步骤，通过将具有彼此不同电流值的多个感测电流馈送通过TMR元件来测量TMR元件的多个电阻；计算步骤，由所测TMR效应元件的多个电阻计算电阻变化率；和评估步骤，使用计算出的电阻变化率对TMR元件进行评估。

公开(公告)号：CN100463051C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510070265.X

申请日：2005-05-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田宪和 ,  稻毛健治 ,  大池太郎

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/60 ,  G11B21/21

CPC classification number: G11B5/3136 ,  G11B5/314 ,  G11B5/4826 ,  G11B5/6064

Abstract: 一种薄膜磁头包括至少一个感应写头元件和至少一个读磁头元件，并且通过加热能够控制在磁记录媒体和至少一个读磁头元件之间的间距。间距的增加SG(nm/℃)大于通过下面的表达式界定的间距增加阈值SGTHLD(nm/℃)：SGTHLD＝A*dPTP+B；A＝1.4642E-02*exp(-6.6769E-05*LRDMF)；B＝4.9602E-01*exp(-2.0423E-03*LRDMF)。这里，dPTP表示通过加热，至少一个感应写头元件和/或至少一个读磁头元件的顶端的凸伸的变化量(nm)，LRDMF表示在最大记录频率的一半频率处的线记录密度(kFCI)。

公开(公告)号：CN100385504C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200610072053.X

申请日：2006-04-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 猿木俊司 ,  稻毛健治 ,  桑岛哲哉 ,  清野浩 ,  田上胜通 ,  福田一正 ,  河野雅秀

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/455 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/303 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种具有充分减小元件阻抗和充分限制爆音噪声的TMR(隧道磁阻)效应元件，其包括主要由包含大量电荷位置的金属氧化物构成的隧道阻挡层。该电荷位置的密度n和该电荷位置所捕获的电子的迁移率μ满足关系：0＜(nS1-1-nS2-1)-1·(μ0-μ)·(nμ)-1＜0.2，其中nS1和nS2分别是在读取信号期间当元件阻抗为最小时的隧道电子的密度和当元件阻抗为最大时的隧道电子的密度，并且μ0是电子在未被捕获时的迁移率。