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公开(公告)号：CN110537232A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201880021066.5
申请日：2018-03-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种作为Nd的替代元素而包含Ce的永久磁铁中也具有大矫顽力的永久磁铁。永久磁铁(10)具有包含R、T和B的多个主相颗粒(11)、和位于主相颗粒(11)之间的晶界相(9)，R包含Nd和Ce，T包含Fe，晶界相包含R-T相(3)和富R相(5)，R-T相(3)含有R和T的金属间化合物，富R相(5)中的R的含量大于R-T相(3)中的R的含量，R-T相(3)中的Ce的含量为[Ce]R-T，R-T相(3)中R的含量的合计为[R]R-T，富R相(5)中的R的含量为[R]R-RICH，100·[Ce]R-T/[R]R-T为65～100，[R]R-RICH为70～100原子％。
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公开(公告)号：CN116600916A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180082842.4
申请日：2021-11-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: B22F9/04
Abstract: 本发明的目的在于得到含有Ce的低成本的稀土磁铁，该稀土磁铁中，残留磁通密度(Br)、矫顽力(HcJ)和矩形比(Hk/HcJ)高、且耐腐蚀性高。本发明的解决手段为，提供一种R‑T‑B系永久磁铁，其含有R(稀土元素)、T(Fe和Co)、B(硼)、以及选自Al、Cu、Ga和Zr中的1种以上。R含有Ce。R的合计含量为31.3质量％以上且34.0质量％以下，Co的含量为1.85质量％以上且3.00质量％以下，B的含量为0.80质量％以上且0.90质量％以下，Al的含量为0.03质量％以上且0.90质量％以下，Cu的含量为0质量％以上且0.25质量％以下，Ga的含量为0质量％以上且0.10质量％以下，Zr的含量为0质量％以上且0.60质量％以下，Fe的含量为实际上的剩余部分。Ce相对于R的含量为15质量％以上且25质量％以下。
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公开(公告)号：CN116568840A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180082790.0
申请日：2021-11-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: C22C38/00
Abstract: 本发明的课题在于得到一种含有Ce的低成本并且HcJ高的稀土磁铁。本发明的解决办法为，提供一种R‑T‑B系永久磁铁，其包含由R2T14B化合物(R为稀土元素，T为过渡金属元素，B为硼)构成的主相晶粒和晶界。R含有Ce。R‑T‑B系永久磁铁中的Ce的含量相对于R的合计含量为15质量％以上且35质量％以下。晶界包含富R相和R‑T相。在R‑T‑B系永久磁铁的一个截面中，将R‑T相相对于晶界的面积比率设为S(R‑T)时，S(R‑T)为0.60以上且0.85以下。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110537232B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201880021066.5
申请日：2018-03-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种作为Nd的替代元素而包含Ce的永久磁铁中也具有大矫顽力的永久磁铁。永久磁铁(10)具有包含R、T和B的多个主相颗粒(11)、和位于主相颗粒(11)之间的晶界相(9)，R包含Nd和Ce，T包含Fe，晶界相包含R‑T相(3)和富R相(5)，R‑T相(3)含有R和T的金属间化合物，富R相(5)中的R的含量大于R‑T相(3)中的R的含量，R‑T相(3)中的Ce的含量为[Ce]R‑T，R‑T相(3)中R的含量的合计为[R]R‑T，富R相(5)中的R的含量为[R]R‑RICH，100·[Ce]R‑T/[R]R‑T为65～100，[R]R‑RICH为70～100原子％。
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公开(公告)号：CN1758344A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510065665.1
申请日：2005-03-03
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/855 , Y10T428/24355 , Y10T428/24479 , Y10T428/24488 , Y10T428/24537 , Y10T428/2457
Abstract: 一种磁记录介质，至少包括盘衬底1、以预定的凹凸图案形成于盘衬底1上的磁记录层5、以及形成在凹凸图案的凹入部分中的非磁性层6。由非磁性材料制成的凸起形状形成在磁记录层5或者非磁性层6上。每个凸起形状例如形成为山形，其上表面的宽度(W1或W2)小于磁记录层5的每个凸起部分的宽度W5或者小于非磁性层6形成其中的每个凹入部分的宽度W6。
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公开(公告)号：CN100411019C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510104938.9
申请日：2005-09-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 提供一种磁记录介质，在该磁记录介质中，以预定凹凸图案将磁记录层(5)设置在基片(1A)上，并用非磁性材料填充凹凸图案中的凹部分，在凹凸图案的凸部分上形成非磁性层(16)，所述非磁性层(16)由非磁性材料中的位于凹部分底面的非磁性材料形成，同时，使凸部分和凹部分的表面基本平坦化，并且所述非磁性层(16)的厚度等于或小于1nm。
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公开(公告)号：CN100346397C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200510065665.1
申请日：2005-03-03
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/855 , Y10T428/24355 , Y10T428/24479 , Y10T428/24488 , Y10T428/24537 , Y10T428/2457
Abstract: 一种磁记录介质，至少包括盘衬底(1)、以预定的凹凸图案形成于盘衬底(1)上的磁记录层(5)、以及形成在凹凸图案的凹入部分中的非磁性层(6)。由非磁性材料制成的凸起形状形成在磁记录层(5)或者非磁性层(6)上。每个凸起形状例如形成为山形，其上表面的宽度(W1或W2)小于磁记录层(5)的每个凸起部分的宽度W5，且小于非磁性层(6)形成其中的每个凹入部分的宽度W6。
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