不可逆电路元件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100508274C

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200510081443.9

    申请日:2005-06-30

    CPC classification number: H01P1/387

    Abstract: 提供一种提高不可逆电路元件的温度特性的技术。一种不可逆电路元件,其特征在于,包括石榴石型铁氧体材料和对石榴石型铁氧体材料施加直流磁场的永久磁铁;当石榴石型铁氧体材料在温度T1下的饱和磁化强度为S11时,在温度T2下的饱和磁化强度为S12,在温度T3下的饱和磁化强度为S13,当永久磁铁在温度T1下的饱和磁化强度为S21时,在温度T2下的饱和磁化强度为S22,在温度T3下的饱和磁化强度为S23时,具有|(S12-S11)/(T2-T1)|<|(S22-S21)/(T2-T1)|、|(S13-S12)/(T3-T2)|>|(S23-S22)/(T3-T2)|的关系,其中,T1<T2<T3,饱和磁化强度S11、S12、S13、S21、S22、S23是在温度T2下的饱和磁化强度为1时的相对值。

    不可逆电路元件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1719658A

    公开(公告)日:2006-01-11

    申请号:CN200510081443.9

    申请日:2005-06-30

    CPC classification number: H01P1/387

    Abstract: 提供一种提高不可逆元件的温度特性的技术。一种不可逆电路元件,其特征在于,包括石榴石型铁氧体材料和对石榴石型铁氧体材料施加直流磁场的永久磁铁;当石榴石型铁氧体材料在温度T1下的饱和磁化为S11时,在温度T2下的饱和磁化为S12,在温度T3下的饱和磁化为S13,当永久磁铁在温度T1下的饱和磁化为S21时,在温度T2下的饱和磁化为S22,在温度T3下的饱和磁化为S23时,具有|(S12-S11)/(T2-T1)|<|(S22-S21)/(T2-T1)|、|(S13-S12)/(T3-T2)|>|(S23-S22)/(T3-T2)|的关系,其中,T1<T2<T3,饱和磁化S11、S12、S13、S21、S22、S23是在温度T2下的饱和磁化为1时的相对值。

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