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公开(公告)号:CN104513058A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201410525063.9
申请日:2014-10-08
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/26
CPC classification number: H01F1/01 , C04B35/26 , C04B35/62645 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/77 , H01F1/344 , H01F3/08 , H01F17/0013 , H01F17/04 , H01F27/255 , H01F38/14
Abstract: 本发明提供在低温烧结的情况下即使在数十~数百A/m的高磁场下其Q值也高且即使提高磁场其Q值的下降率也低的铁氧体组合物以及具有由该组合物所构成的烧结体的电子部件。其特征在于,主成分由以Fe2O3换算为25.0~49.8摩尔%的氧化铁、以CuO换算为5.0~14.0摩尔%的氧化铜、以ZnO换算为0~40.0摩尔%的氧化锌、余量为氧化镍所构成,相对于所述主成分100重量%,含有以SiO2换算为0.2~5.0重量%的氧化硅、以Bi2O3换算为0.10~3.00重量%的氧化铋、以Co3O4换算为0.10~3.00重量%的氧化钴作为副成分。
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公开(公告)号:CN106057393B
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201610195770.5
申请日:2016-03-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及复合铁氧体组合物和电子部件。是一种含有磁性体材料和非磁性体材料的复合铁氧体组合物。上述磁性体材料为Ni‑Cu‑Zn系铁氧体。上述非磁性体材料含有以通式a(bZnO·cCuO)·SiO2所表示的低介电常数非磁性体材料、和氧化铋,上述通式中的a、b以及c满足:a=1.5~2.4、b=0.85~0.98、c=0.02~0.15(并且b+c=1.00)。上述磁性体材料与上述低介电常数非磁性体材料的混合比率为80重量%:20重量%~10重量%:90重量%。
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公开(公告)号:CN106045493A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610196723.2
申请日:2016-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/30 , C04B35/28 , H01F1/113 , H01F27/245
CPC classification number: C04B35/265 , C04B2235/3275 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , H01F1/113 , H01F27/245
Abstract: 本发明涉及一种铁氧体组合物和电子部件,主成分由以Fe2O3换算为26~46摩尔%的氧化铁、以CuO换算为4~14摩尔%的氧化铜、以ZnO换算为0~26摩尔%的氧化锌、以及剩余部分的以NiO换算为40.0摩尔%以上的氧化镍构成。相对于100重量份的主成分,含有以SiO2换算为0.8~10.0重量份的硅化合物、以Co3O4换算为1.0~15.0重量份的钴化合物、以及以Bi2O3换算为0.7~30.0重量份的铋化合物来作为副成分。以Co3O4换算后的钴化合物的含量除以以SiO2换算后的硅化合物的含量后的值为0.4~5.5。
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公开(公告)号:CN109053178B
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN201810903433.6
申请日:2014-10-08
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/26
Abstract: 本发明提供在低温烧结的情况下即使在数十~数百A/m的高磁场下其Q值也高且即使提高磁场其Q值的下降率也低的铁氧体组合物以及具有由该组合物所构成的烧结体的电子部件。其特征在于,主成分由以Fe2O3换算为25.0~49.8摩尔%的氧化铁、以CuO换算为5.0~14.0摩尔%的氧化铜、以ZnO换算为0~40.0摩尔%的氧化锌、余量为氧化镍所构成,相对于所述主成分100重量%,含有以SiO2换算为0.2~5.0重量%的氧化硅、以Bi2O3换算为0.10~3.00重量%的氧化铋、以Co3O4换算为0.10~3.00重量%的氧化钴作为副成分。
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公开(公告)号:CN104143404B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410195616.9
申请日:2014-05-09
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/401 , H01F1/37 , H01F17/0013
Abstract: 本发明涉及含有磁性体材料和非磁性体材料的复合铁氧体组合物。磁性体材料与所述非磁性体材料的混合比例为20重量%︰80重量%~80重量%︰20重量%。磁性体材料为Ni‑Cu‑Zn系铁氧体。非磁性体材料的主成分含有选自Zn、Cu和Si中的至少1种元素的氧化物。非磁性体的副成分含有硼硅酸玻璃。
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公开(公告)号:CN109053178A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201810903433.6
申请日:2014-10-08
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/26
CPC classification number: H01F1/01 , C04B35/26 , C04B35/62645 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/77 , H01F1/344 , H01F3/08 , H01F17/0013 , H01F17/04 , H01F27/255 , H01F38/14
Abstract: 本发明提供在低温烧结的情况下即使在数十~数百A/m的高磁场下其Q值也高且即使提高磁场其Q值的下降率也低的铁氧体组合物以及具有由该组合物所构成的烧结体的电子部件。其特征在于,主成分由以Fe2O3换算为25.0~49.8摩尔%的氧化铁、以CuO换算为5.0~14.0摩尔%的氧化铜、以ZnO换算为0~40.0摩尔%的氧化锌、余量为氧化镍所构成,相对于所述主成分100重量%,含有以SiO2换算为0.2~5.0重量%的氧化硅、以Bi2O3换算为0.10~3.00重量%的氧化铋、以Co3O4换算为0.10~3.00重量%的氧化钴作为副成分。
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公开(公告)号:CN106057393A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610195770.5
申请日:2016-03-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/344 , H01F17/0013 , H01F17/04 , H01F27/292 , H01F2017/048 , H01F1/346 , C04B35/265 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , H01F2017/0066
Abstract: 本发明涉及复合铁氧体组合物和电子部件。是一种含有磁性体材料和非磁性体材料的复合铁氧体组合物。上述磁性体材料为Ni-Cu-Zn系铁氧体。上述非磁性体材料含有以通式a(bZnO·cCuO)·SiO2所表示的低介电常数非磁性体材料、和氧化铋,上述通式中的a、b以及c满足:a=1.5~2.4、b=0.85~0.98、c=0.02~0.15(并且b+c=1.00)。上述磁性体材料与上述低介电常数非磁性体材料的混合比率为80重量%:20重量%~10重量%:90重量%。
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公开(公告)号:CN106045493B
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201610196723.2
申请日:2016-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/30 , C04B35/28 , H01F1/113 , H01F27/245
Abstract: 本发明涉及一种铁氧体组合物和电子部件,主成分由以Fe2O3换算为26~46摩尔%的氧化铁、以CuO换算为4~14摩尔%的氧化铜、以ZnO换算为0~26摩尔%的氧化锌、以及剩余部分的以NiO换算为40.0摩尔%以上的氧化镍构成。相对于100重量份的主成分,含有以SiO2换算为0.8~10.0重量份的硅化合物、以Co3O4换算为1.0~15.0重量份的钴化合物、以及以Bi2O3换算为0.7~30.0重量份的铋化合物来作为副成分。以Co3O4换算后的钴化合物的含量除以以SiO2换算后的硅化合物的含量后的值为0.4~5.5。
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公开(公告)号:CN104143404A
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN201410195616.9
申请日:2014-05-09
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/401 , H01F1/37 , H01F17/0013
Abstract: 本发明涉及含有磁性体材料和非磁性体材料的复合铁氧体组合物。磁性体材料与所述非磁性体材料的混合比例为20重量%︰80重量%~80重量%︰20重量%。磁性体材料为Ni-Cu-Zn系铁氧体。非磁性体材料的主成分含有选自Zn、Cu和Si中的至少1种元素的氧化物。非磁性体的副成分含有硼硅酸玻璃。
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