公开(公告)号：CN110286339B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201910202250.6

申请日：2019-03-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蔡永福 ,  须藤俊英

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁检测装置具备：传感器部，包括第一磁检测元件，第一磁检测元件具有第一叠层结构且可以检测检测对象磁场；以及电阻部，包括第一电阻元件且与传感器部连接，第一电阻元件具有第一叠层结构。

公开(公告)号：CN109725269B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201811157463.3

申请日：2018-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 内田圭祐 ,  梅原刚 ,  须藤俊英 ,  平林启

IPC: G01R33/06 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明涉及磁传感器及位置检测装置。位置检测装置具备产生第一磁场的第一磁场产生部、产生第二磁场的第二磁场产生部、磁传感器。第二磁场产生部相对于第一磁场产生部的位置可变化。磁传感器生成与基准平面内的检测位置上的对象磁场的方向对应的检测信号。对象磁场是平行于基准平面的第一及第二磁场各自的成分即第一磁场成分和第二磁场成分的合成磁场。磁传感器具有包含自由层和磁化固定层的磁阻效应元件。在基准平面内，与磁化固定层的磁化的方向正交的两个方向分别与第一磁场成分的方向和第二磁场成分的方向的任一方向均不同。

公开(公告)号：CN105783684A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610023751.4

申请日：2016-01-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 须藤俊英 ,  平林启

IPC: G01B7/00

Abstract: 本发明公开一种用于检测外磁场在特定方向上的分量的磁传感器，其包含电阻阵列，该电阻阵列包含多个电阻元件部，该电阻元件部各自具有磁阻元件。多个电阻元件部中的各个相对于外磁场在特定方向上的分量具有不同的输出特性曲线。

公开(公告)号：CN109974569B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201811610981.6

申请日：2018-12-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 须藤俊英

IPC: G01B7/02 ,  G01B7/00 ,  H01L43/08

Abstract: 根据本发明的磁传感器具有磁阻元件，该磁阻元件具有多层结构和磁敏轴，并且至少一个软磁体设置在磁阻元件附近。从磁阻元件的层叠方向上观察，软磁体至少在其角部具有倾斜线,该倾斜线相对于所述软磁体的向该角部延伸的两边倾斜。

公开(公告)号：CN105783684B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201610023751.4

申请日：2016-01-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 须藤俊英 ,  平林启

IPC: G01B7/00

Abstract: 本发明公开一种用于检测外磁场在特定方向上的分量的磁传感器，其包含电阻阵列，该电阻阵列包含多个电阻元件部，该电阻元件部各自具有磁阻元件。多个电阻元件部中的各个相对于外磁场在特定方向上的分量具有不同的输出特性曲线。

公开(公告)号：CN109725269A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811157463.3

申请日：2018-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 内田圭祐 ,  梅原刚 ,  须藤俊英 ,  平林启

IPC: G01R33/06 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明涉及磁传感器及位置检测装置。位置检测装置具备产生第一磁场的第一磁场产生部、产生第二磁场的第二磁场产生部、磁传感器。第二磁场产生部相对于第一磁场产生部的位置可变化。磁传感器生成与基准平面内的检测位置上的对象磁场的方向对应的检测信号。对象磁场是平行于基准平面的第一及第二磁场各自的成分即第一磁场成分和第二磁场成分的合成磁场。磁传感器具有包含自由层和磁化固定层的磁阻效应元件。在基准平面内，与磁化固定层的磁化的方向正交的两个方向分别与第一磁场成分的方向和第二磁场成分的方向的任一方向均不同。

公开(公告)号：CN115164698A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210741886.X

申请日：2018-12-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 须藤俊英

IPC: G01B7/02 ,  G01B7/00 ,  H01L43/08

Abstract: 根据本发明的磁传感器具有磁阻元件，该磁阻元件具有多层结构和磁敏轴，并且至少一个软磁体设置在磁阻元件附近。从磁阻元件的层叠方向上观察，软磁体至少在其角部具有倾斜线,该倾斜线相对于所述软磁体的向该角部延伸的两边倾斜。

公开(公告)号：CN110286339A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910202250.6

申请日：2019-03-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蔡永福 ,  须藤俊英

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁检测装置具备：传感器部，包括第一磁检测元件，第一磁检测元件具有第一叠层结构且可以检测检测对象磁场；以及电阻部，包括第一电阻元件且与传感器部连接，第一电阻元件具有第一叠层结构。

公开(公告)号：CN109974569A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811610981.6

申请日：2018-12-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 须藤俊英

IPC: G01B7/02 ,  G01B7/00 ,  H01L43/08

Abstract: 根据本发明的磁传感器具有磁阻元件，该磁阻元件具有多层结构和磁敏轴，并且至少一个软磁体设置在磁阻元件附近。从磁阻元件的层叠方向上观察，软磁体至少在其角部具有倾斜线,该倾斜线相对于所述软磁体的向该角部延伸的两边倾斜。