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公开(公告)号：CN113267203B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202110087677.3
申请日：2021-01-22
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 蔡永福
Abstract: 本发明的位置检测装置，具备：磁传感器、第一磁场发生部和第二磁场发生部。第一磁场发生部包含以第一磁性材料为主要成分且呈第一形状的第一磁体，并且产生第一磁场。第二磁场发生部包含以第二磁性材料为主要成分且呈第二形状的第二磁体，产生第二磁场，并且设置为对第一磁场发生部和磁传感器可以沿着第一方向移动。磁传感器生成对应于检测对象磁场的方向的检测信号，并且可以检测第二磁场发生部的位置的变化，该检测对象磁场由沿着第一面的第一磁场与沿着第一面的第二磁场合成。
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公开(公告)号：CN114199114A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111011292.5
申请日：2021-08-31
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 蔡永福
IPC: G01B7/00
Abstract: 本发明的位置检测装置具备磁传感器和第一磁场产生部。第一磁场产生部在第一轴向上与磁传感器分开对置，并且产生波及磁传感器的第一磁场。第一磁场产生部具有第一多极磁体，第一多极磁体分别包括多个沿着与第一轴向正交的平面相邻的N极和S极。另外，磁传感器和第一磁场产生部设置为可以沿着第二轴向相对移动，第二轴向与第一轴向正交。第三轴向的磁传感器的中心位置与在第三轴向上相邻的N极与S极的交界的第三轴向的位置不同，第三轴向与第一轴向和第二轴向的双方正交。
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公开(公告)号：CN110767644A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910427721.3
申请日：2019-05-22
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/495
Abstract: 本发明的电子元器件封装件具备电子元器件模块，该电子元器件模块具有：基底部，包括第一面和第二面；第一镀层，覆盖第一面；第一电子元器件芯片，夹着第一绝缘层设在该第一镀层上；第二镀层，覆盖第二面；以及第二电子元器件芯片，夹着第二绝缘层设在该第二镀层上。此处，第一镀层和第二镀层含有第一金属材料，该第一金属材料比Ag(银)难以发生离子迁移现象。
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公开(公告)号：CN112596008B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202010841915.0
申请日：2020-08-20
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 蔡永福
IPC: G01R33/09
Abstract: 磁传感器装置具备：磁场转换部，其接受沿着第一方向输入的输入磁场，并沿着与第一方向正交的第二方向输出输出磁场；磁场检测部，其设置于输出磁场能够被施加的位置；以及磁屏蔽，其遮蔽沿着正交于第一方向和第二方向这两者的第三方向的外部磁场，当沿着第一方向观察时，磁场转换部具有第三方向上的长度比第二方向上的长度长的形状，当沿着第一方向观察时，磁屏蔽设置于与磁场转换部和磁场检测部重叠的位置，外部磁场的磁场透过率为1～30％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117434479A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310893504.X
申请日：2023-07-20
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 蔡永福
Abstract: 本发明的磁传感器(1)具有：磁场检测元件(7)，其检测绕中心轴(C)旋转的磁铁(2)所产生的磁场；以及基板(10)，其具有第1面(P1)和作为第1面的背面的第2面(P2)，第2面(P2)包括相对于第1面倾斜的第1倾斜面(PK1)。磁场检测元件(7)沿着第1倾斜面设置。磁铁(2)从中心轴(C)隔开间隔地设置，极性沿着中心轴的周向交替地更换。第1面与中心轴(C)实质上平行，第1倾斜面相对于第1面成平均角度θ倾斜。在与中心轴(C)正交的面内，在磁场检测元件的设置位置的磁场强度随着磁铁(2)的旋转而变化，当将在面内的磁场强度的最大值与最小值的比设为MFR时，为(1/Ks)×0.8≦MFR≦(1/Ks)×1.2(其中，Ks＝sinθ)。
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公开(公告)号：CN111693911B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010165768.X
申请日：2020-03-11
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁传感器装置具有自旋阀型的磁阻效应元件，并且能够向该磁阻效应元件的自由层稳定地施加偏置磁场，其具备：自旋阀型的磁阻效应元件；基板，其配置有磁阻效应元件；电源，其供给施加于磁阻效应元件的实质上恒定的电流；以及磁场产生部，其被设置成串联连接于施加于磁阻效应元件的电流的电流路径，并且能够向至少一部分的磁阻效应元件施加偏置磁场，磁场产生部位于一部分的磁阻效应元件的附近，并且位于与基板不同的层。
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公开(公告)号：CN115452006A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211115439.X
申请日：2019-11-25
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 蔡永福
Abstract: 本发明提供一种磁传感器装置，其能够通过磁铁向至少一个轴(X轴)、优选为两个轴(X轴和Y轴)的相对的移动高精度地进行位置检测，该磁传感器装置具备：多极磁铁，具有第1面和与该第1面相对的第2面，以将第1面放射状地分割成n个(n≥4)区域的方式由极性不同的磁极交替地排列而构成；以及磁检测部，以与多极磁铁的第1面相对的方式设置而构成，多极磁铁被设置为至少能够在与第1面和第2面实质上平行的平面内的第1方向上相对地移动，磁检测部输出对应于伴随着多极磁铁的相对的移动的磁场的变化的信号，在正交于第1面的方向上，多极磁铁和磁检测部的各自的几何学的中心实质上一致。
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公开(公告)号：CN115218766A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210388867.3
申请日：2022-04-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01B7/02
Abstract: 本发明提供磁传感器、磁编码器和透镜位置检测装置。磁传感器包括第一～第四电阻体、电源端口、接地端口、第一输出端口和第二输出端口。第一电阻体和第二电阻体配置于第一区域内，且经由与第一输出端口连接的第一连接点串联连接。第三电阻体和第四电阻体配置于第二区域内，且经由与第二输出端口连接的第二连接点串联连接，其中，该第二区域在与X方向平行的方向上至少一部分位于与第一区域不同的位置。第一及第二电阻体在与Y方向平行的方向上配置于第三电阻体与第四电阻体之间。
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公开(公告)号：CN113048868A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011561766.9
申请日：2020-12-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01B7/00
Abstract: 本发明提供位置检测信号的校正方法和位置检测装置。位置检测装置是用于检测能够在规定的可动范围内移动的检测对象物的位置的装置。该位置检测装置包括：以随着上述检测对象物的移动而一体地移动的方式配置的第一磁体和第二磁体；配置在可动范围外的位置的、检测第一磁体的磁场的第一磁检测电路和检测第二磁体的磁场的第二磁检测电路；以及差分放大器，其将从第一磁检测电路和第二磁检测电路输出的磁场的检测信号之差放大，作为检测对象物的位置检测信号输出。
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