公开(公告)号：CN107112186A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580054079.9

申请日：2015-09-01

Applicant: TEL艾派恩有限公司

Inventor： 迈克尔·格拉夫 ,  诺尔·拉塞尔 ,  马修·C·格温 ,  艾伦·J·莱特

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 描述了一种射束处理系统和操作方法。特别地，射束处理系统包括：具有喷嘴组件的射束源，该喷嘴组件被配置为通过喷嘴组件将主气体引入至真空容器，以便产生气体束，例如气体团簇束；以及可选地，电离器，其定位在喷嘴组件下游，并且被配置为电离气体束以产生经电离的气体束。射束处理系统还包括：处理室，基片定位在该处理室内以由气体束进行处理；以及辅助气体源，其中，辅助气体源包括：辅助气体供应系统，其输送辅助气体；以及辅助气体控制器，其可操作地控制注入到喷嘴组件下游的射束处理系统中的辅助气体的流动。

公开(公告)号：CN107112186B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201580054079.9

申请日：2015-09-01

Applicant: TEL艾派恩有限公司

Inventor： 迈克尔·格拉夫 ,  诺尔·拉塞尔 ,  马修·C·格温 ,  艾伦·J·莱特

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 描述了一种射束处理系统和操作方法。特别地，射束处理系统包括：具有喷嘴组件的射束源，该喷嘴组件被配置为通过喷嘴组件将主气体引入至真空容器，以便产生气体束，例如气体团簇束；以及可选地，电离器，其定位在喷嘴组件下游，并且被配置为电离气体束以产生经电离的气体束。射束处理系统还包括：处理室，基片定位在该处理室内以由气体束进行处理；以及辅助气体源，其中，辅助气体源包括：辅助气体供应系统，其输送辅助气体；以及辅助气体控制器，其可操作地控制注入到喷嘴组件下游的射束处理系统中的辅助气体的流动。

公开(公告)号：CN103038854B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201180022613.X

申请日：2011-05-04

Applicant: TEL艾派恩有限公司

Inventor： 迈克尔·格拉夫 ,  罗伯特·K·贝克尔 ,  克里斯多弗·T·雷迪 ,  诺尔·拉塞尔

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0812

Abstract: 提供了一种利用气体离化团束(GCIB)(128、128A、128A′)来照射衬底(152、252)的处理系统(100、100′、100″)。该系统(100、100′、100″)包括用以形成并通过喷嘴出口(110b)射出气体团束的喷嘴(110、1010)，以及位于该喷嘴(110、1010)上游并与该喷嘴(110、1010)邻接的停滞腔室(116、1016)。该停滞腔室(116、1016)具有入口(116a、1016a)，并且该喷嘴(110、1010)被构造为将单个气体团束引向该衬底(152、252)。离子发生器(122)被定位在出口(110b)下游并且被构造为离子化气体团束(118)以形成GCIB(128、128A、128A′)。该系统(100、100′、100″)也包括气体供应器(115、1015)，其中该气体供应器(115、1015)与该停滞腔室(116、1016)的该入口(116a、1016a)流体连，并且包括气体源(111、1011)和阀(113、1013)，其中该阀(113、1013)位于该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间，用以控制该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间的气体流动。

公开(公告)号：CN103038854A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180022613.X

申请日：2011-05-04

Applicant: TEL艾派恩有限公司

Inventor： 迈克尔·格拉夫 ,  罗伯特·K·贝克尔 ,  克里斯多弗·T·雷迪 ,  诺尔·拉塞尔

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0812

Abstract: 提供了一种利用气体离化团束(GCIB)(128、128A、128A′)来照射衬底(152、252)的处理系统(100、100′、100″)。该系统(100、100′、100″)包括用以形成并通过喷嘴出口(110b)射出气体团束的喷嘴(110、1010)，以及位于该喷嘴(110、1010)上游并与该喷嘴(110、1010)邻接的停滞腔室(116、1016)。该停滞腔室(116、1016)具有入口(116a、1016a)，并且该喷嘴(110、1010)被构造为将单个气体团束引向该衬底(152、252)。离子发生器(122)被定位在出口(110b)下游并且被构造为离子化气体团束(118)以形成GCIB(128、128A、128A′)。该系统(100、100′、100″)也包括气体供应器(115、1015)，其中该气体供应器(115、1015)与该停滞腔室(116、1016)的该入口(116a、1016a)流体连，并且包括气体源(111、1011)和阀(113、1013)，其中该阀(113、1013)位于该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间，用以控制该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间的气体流动。