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公开(公告)号:CN103534635A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201280011424.7
申请日:2012-01-23
Applicant: 马克·亚历山大·布夫罗
Inventor: 马克·亚历山大·布夫罗
CPC classification number: G02F1/0027 , G02F1/01 , G02F1/011 , G02F1/03 , G02F1/0305 , G02F1/0316 , G02F1/035 , G02F1/0353 , G02F1/05 , G02F1/0508
Abstract: 一种电光元件,在其衬底(1)上有一块体材料铁电层(4),在衬底(1)和铁电层(4)之间构成接地面的电极(2)、与该电极相对地安装在铁电层之上的另一个窄电极(5),以及被布置在铁电层中、上面的电极(5)的两侧的一些槽(6)。
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公开(公告)号:CN109061910A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201811053887.5
申请日:2018-09-11
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/05
CPC classification number: G02F1/05
Abstract: 本发明提供一种制备亚微米周期任意极化图案铌酸锂微盘腔的方法,其包括以下步骤:步骤一,生成带下电极的铌酸锂薄膜;步骤二,在铌酸锂薄膜上制备微盘腔掩模图案;步骤三,对样品进行反应离子束刻蚀,形成铌酸锂微盘;步骤四,在铌酸锂微盘上构造任意图案的极化结构;步骤五,对样品进行金属层和二氧化硅层刻蚀,形成边缘悬空的周期极化铌酸锂微盘腔。该发明操作简单,精度高,可实现具有小周期任意极化图案的铁电晶体微腔的制备。
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公开(公告)号:CN105308496A
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201380026516.7
申请日:2013-04-04
Applicant: P·韩
IPC: G02F1/03
CPC classification number: G02F1/055 , B29D11/00932 , G02F1/0027 , G02F1/0136 , G02F1/05 , G02F1/21 , G02F1/3558 , G02F2001/212
Abstract: 本发明涉及电光(E-O)晶体元件、其应用及制造方法。更具体而言,本发明涉及E-O晶体元件(其可以由掺杂的或未掺杂的PMN-PT、PIN-PMN-PT或PZN-PT铁电晶体制造),该晶体元件显示出超高的线性E-O系数γc(例如横向有效线性E-O系数γTc高于1100pm/V,而纵向有效线性E-O系数γlc至多达到527pm/V),这使得在多种调变、通讯、激光和工业用途中,得到低于200V的Vlπ和低于大约87V的VTπ的极低的半波电压。
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公开(公告)号:CN1159597A
公开(公告)日:1997-09-17
申请号:CN96121750.2
申请日:1996-11-22
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 山田正裕
IPC: G02B26/08
CPC classification number: G02F1/29 , G02F1/0305 , G02F1/0316 , G02F1/0322 , G02F1/05 , G02F1/3558
Abstract: 一种诸如光偏转器之类的电子光学器件,包括一个铁电基片,一些设置于此基片的主表面上的电极及一个在该基片内部形成的具有例如三角形的多边形状的倒磁畴,这些磁畴的诸畴壁中至少一个基本上垂直于该基片的诸主表面,而且一个光束穿过诸畴壁中的至少两个,于是允许快速随机存取、大偏转角和高分辨率。
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公开(公告)号:CN103534635B
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201280011424.7
申请日:2012-01-23
Applicant: 马克·亚历山大·布夫罗
Inventor: 马克·亚历山大·布夫罗
CPC classification number: G02F1/0027 , G02F1/01 , G02F1/011 , G02F1/03 , G02F1/0305 , G02F1/0316 , G02F1/035 , G02F1/0353 , G02F1/05 , G02F1/0508
Abstract: 一种电光元件,在其衬底(1)上有一块体材料铁电层(4),在衬底(1)和铁电层(4)之间构成接地面的电极(2)、与该电极相对地安装在铁电层之上的另一个窄电极(5),以及被布置在铁电层中、上面的电极(5)的两侧的一些槽(6)。
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公开(公告)号:CN102681217B
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201210057762.6
申请日:2012-03-07
Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司
CPC classification number: G02F1/3558 , G02F1/05 , G02F1/0508 , G02F1/2255 , G02F2001/212 , G02F2001/3548
Abstract: 一种光调制器,能够补偿光纤的波长色散且能够适用于超过数10Gbps的高速传送。上述光调制器具有:基板(1),由具有电光效应的材料构成;光波导(2),形成在该基板上;以及调制电极(3),用于对在该光波导中传播的光波进行调制,上述光调制器的特征在于,通过光纤对从该光波导射出的出射光(L2)进行导波,沿着该光波导使该基板以预定的图案极化反转(10),以具有与该光纤的波长色散特性相反的特性的波形失真。
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公开(公告)号:CN1147756C
公开(公告)日:2004-04-28
申请号:CN96121750.2
申请日:1996-11-22
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 山田正裕
CPC classification number: G02F1/29 , G02F1/0305 , G02F1/0316 , G02F1/0322 , G02F1/05 , G02F1/3558
Abstract: 一种诸如光偏转器之类的电子光学器件,包括一个铁电基片,一些设置于此基片的主表面上的电极及一个在该基片内部形成的具有例如三角形的多边形状的倒磁畴,这些磁畴的诸畴壁中至少一个基本上垂直于该基片的诸主表面,而且一个光束穿过诸畴壁中的至少两个,于是允许快速随机存取、大偏转角和高分辨率。
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公开(公告)号:CN104965318A
公开(公告)日:2015-10-07
申请号:CN201510435015.5
申请日:2015-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/05 , G02B5/04 , H01L31/101
CPC classification number: G02F1/05 , G02B5/04 , H01L31/101
Abstract: 一种紫外探测转换器及其制备和使用方法,本发明涉及紫外探测与成像的方法。本发明是要解决现有的紫外探测器的读出电路技术难度大,成本高的问题。紫外探测转换器是用透明的弛豫铁电陶瓷材料切割而成的光学等腰三棱镜,等腰三角形的顶角为150~165°。制法:将弛豫铁电陶瓷块体材料切割成等腰三棱镜,再经研磨与抛光,得到紫外探测转换器。从紫外透镜阵列射出的紫外光照射到紫外探测转换器的底面上,同时红外光光源发出的近红外平行光以小于全内反射角的入射角度入射到紫外探测转换器的底面上,由硅探测器阵列接收。近红外光分布情况与紫外透镜阵列射出的紫外光空间分布情况完全一致,无需开发读出电路或作阵列加工。
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公开(公告)号:CN104793287A
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:CN201510161482.3
申请日:2015-04-07
Applicant: 南京大学
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02F1/05 , G02F1/0027 , G02F1/35
Abstract: 本发明公开了一种铁电超晶格制备方法,以铁电材料为基片,在基片的两个面同时制作与需要制作的畴结构相对应的图案电极,且电极图案的投影完全吻合;基片的+Z面图案电极接高压,-Z面图案电极接地;电脉冲的电压按照基片的材质和厚度进行选择,在几十到几万伏特的范围;电脉冲施加于两电极间,制备出铁电超晶格;所述图案电极包括周期、非周期、准周期、双周期、一维、二维等图案电极结构。本发明通过施加高于矫顽场的电脉冲,制备出铁电超晶格。本发明通过两面图案电极,增强了非电极区域对电畴侧向扩展的抑制作用,可以实现小周期和厚基片铁电超晶格的制备。
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公开(公告)号:CN101718943B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN200910204466.2
申请日:2009-09-29
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 片桐崇史
IPC: G02F2/02
CPC classification number: G02F1/025 , G02F1/05 , G02F2203/026 , G02F2203/13 , H01Q13/085
Abstract: 本发明提供一种改善太赫波产生效率的太赫波产生器。该太赫波产生器包括用于产生太赫波的产生层、用于传播入射产生层的激发光和由入射产生层的激发光产生的太赫波的波导层、以及用于在波导层中限制在波导层中传播的激发光和在波导层中传播的太赫波的第一限制层。产生层、波导层和第一限制层被依次层叠。
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