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公开(公告)号：CN107346697A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710649597.6
申请日：2017-08-02
Applicant: 新疆大学
CPC classification number: H01F10/005 , H01F1/445 , H01F10/18 , H01F41/22
Abstract: 本发明提供了一种乙二醇基磁流体复合膜及其制备方法，涉及磁性复合材料技术领域，主要由按质量份数计的如下组分制备而成：乙二醇基磁流体90-110份，聚乙烯醇15-25份，去离子水70-90份，其中，乙二醇基磁流体主要由纳米四氧化三铁、乙二醇和分散稳定剂制备而成，缓解了现有磁流体中，载液基质为水基或油基，使得磁性纳米颗粒的分散程度一直没有明显提升，导致磁流体复合膜性能受到限制的技术问题，达到了通过乙二醇基磁流体、聚乙烯醇和去离子水相互协同配合，使磁性颗粒均匀分布于复合膜中，让复合膜的在保持良好顺磁性能的基础上，饱和磁化强度更大，单位质量磁化率更高，应变能力更好，从而发挥更好磁变性能的技术效果。
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公开(公告)号：CN104350555B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201380025603.0
申请日：2013-04-15
CPC classification number: H01L43/12 , H01F1/0009 , H01F10/005 , H01F10/3254 , H01F41/32 , H01L43/10
Abstract: 一种电子过滤方法，使得费米能级处至少75％的电子传导电流被自旋极化，该方法与自旋极化电流源(2)一同使用，自旋极化电流源至少包括：包括有导电衬底(10)和有机层(20)的极化自旋注入器件,导电衬底(10)的第一面(11)具有磁特性并且有机层(20)与衬底的第一面接触；被称为接地(30)的导电材料，有机层被设置在接地与衬底之间；被电连接到衬底的第一面以及接地上的电流源(40)；所述方法包括借助于电流源使电子传导电流在高于‑220℃的温度下在衬底的第一面与接地之间流通。
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公开(公告)号：CN100377868C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510056941.8
申请日：2005-03-24
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: B32B7/04
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/005 , H01F10/3268
Abstract: 本发明涉及一种用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜，包括自由磁性层、隔离层和被钉扎磁性层。该核心复合膜可以仅是隔离层；该隔离层为具有绝缘的、导电的、或有半导体性质的材料组成的有机LB膜。该核心复合膜也可以是所述的自由磁性层、隔离层和被钉扎磁性层均为LB膜层；其中被钉扎磁性层和自由磁性层为有磁性的材料组成的有机膜。该核心复合膜可以应用于磁电阻自旋阀传感器上，其可构成磁电阻自旋阀传感器的磁感应单元；也可用于磁电阻随机存取存储器上做为记忆单元。该核心复合膜可在大面积范围内保持均匀性和一致性，其工艺简单、成本低廉；且利用LB有机膜替代传统的隔离层和磁性层，使得器件更轻、更薄、更易加工和集成化。
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公开(公告)号：CN104380399B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201380020424.8
申请日：2013-04-15
CPC classification number: H01L43/12 , H01F10/005 , H01F10/3254 , H01F41/32 , H01L43/10
Abstract: 一种用于制造自旋注入器件(30)的方法，包括以下步骤：a)在衬底(10)的面(11)上形成金属保护层(22)以限制或者阻止所述面被环境氧化和/或污染，所述衬底的所述面为磁性的和导电的，所述保护层具有反磁性或顺磁性的性质；b)在所述保护层上形成上层(32)，所述上层(32)能够根据由所述衬底和/或所述衬底的所述面的磁性限定的幅度和自旋参考框架来促进所述保护层与所述上层之间的界面的费米能级附近的电子态的自旋偏离，所述上层为有机层，所述有机层的与所述保护层接触的一个或更多个分子位置具有由单一的磁性参考框架所表征的顺磁矩。
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公开(公告)号：CN104350555A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380025603.0
申请日：2013-04-15
CPC classification number: H01L43/12 , H01F1/0009 , H01F10/005 , H01F10/3254 , H01F41/32 , H01L43/10
Abstract: 一种电子过滤方法，使得费米能级处至少75％的电子传导电流被自旋极化，该方法与自旋极化电流源(2)一同使用，自旋极化电流源至少包括：包括有导电衬底(10)和有机层(20)的极化自旋注入器件,导电衬底(10)的第一面(11)具有磁特性并且有机层(20)与衬底的第一面接触；被称为接地(30)的导电材料，有机层被设置在接地与衬底之间；被电连接到衬底的第一面以及接地上的电流源(40)；所述方法包括借助于电流源使电子传导电流在高于-220℃的温度下在衬底的第一面与接地之间流通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1807679A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510114067.9
申请日：2005-10-18
Applicant: 黑罗伊斯有限公司
Inventor： 阿卜杜勒瓦哈卜·齐亚尼 , 迈克尔·莱思罗普 , 弗朗索瓦·C·达里
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C22C27/06 , B32B15/01 , B32B15/017 , C23C14/14 , C23C14/3414 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851 , H01F10/005 , H01F41/183
Abstract: 本发明提供了溅射靶材料，该溅射靶材料包括含Cr－C、Cr－M－C或Cr－M1－M2－C的合金体系，其中C占至少0.5到至多20原子％；M占至少0.5到至多20原子％并且是选自Ti、V、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W的元素；M1占至少0.5到至多20原子％并且是选自Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W的元素；且M2占至少0.5到至多10原子％并且是选自Li、Mg、Al、Sc、Mn、Y和Te的元素。本发明还提供了包括衬底和至少底层的磁记录介质，所述底层包括本发明的溅射靶材料。本发明进一步提供了生产溅射靶材料的方法。该方法可使用包括元素组合的粉末材料，所述材料可包括铬合金、碳化物或含碳母合金。
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公开(公告)号：CN104380399A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380020424.8
申请日：2013-04-15
CPC classification number: H01L43/12 , H01F10/005 , H01F10/3254 , H01F41/32 , H01L43/10
Abstract: 一种用于制造自旋注入器件(30)的方法，包括以下步骤：a)在衬底(10)的面(11)上形成金属保护层(22)以限制或者阻止所述面被环境氧化和/或污染，所述衬底的所述面为磁性的和导电的，所述保护层具有反磁性或顺磁性的性质；b)在所述保护层上形成上层(32)，所述上层(32)能够根据由所述衬底和/或所述衬底的所述面的磁性限定的幅度和自旋参考框架来促进所述保护层与所述上层之间的界面的费米能级附近的电子态的自旋偏离，所述上层为有机层，所述有机层的与所述保护层接触的一个或更多个分子位置具有由单一的磁性参考框架所表征的顺磁矩。
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公开(公告)号：CN1836896A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510056941.8
申请日：2005-03-24
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: B32B7/04
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/005 , H01F10/3268
Abstract: 本发明涉及一种用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜，包括自由磁性层、隔离层和被钉扎磁性层。该核心复合膜可以是仅隔离层为LB膜层；该隔离层为具有绝缘的、导电的、或有半导体性质的材料组成的有机LB膜。该核心复合膜也可以是所述的自由磁性层、隔离层和被钉扎磁性层均为LB膜层；其中被钉扎磁性层和自由磁性层为有磁性的材料组成的有机膜。该核心复合膜可以应用于磁电阻自旋阀传感器上，其可构成磁电阻自旋阀传感器的磁感应单元；也可用于磁电阻随机存取存储器上做为记忆单元。该核心复合膜可在大面积范围内保持均匀性和一致性，其工艺简单、成本低廉；且利用LB有机膜替代传统的隔离层和磁性层，使得器件更轻、更薄、更易加工和集成化。
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公开(公告)号：CN1762000A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007446.1
申请日：2004-03-11
Applicant: 纳磁股份有限公司
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/712 , G11B5/842 , H01F1/009 , H01F10/005 , H01F10/007 , H01F41/16
Abstract: 一种形成具有磁性纳米粒子膜的磁记录装置的方法，其包括制备磁性纳米粒子在载液中的悬浮液，并将所述流体悬浮液以体积小于约1nL的小滴形式沉积到基质表面，作为沉积流体悬浮液的干残渣形成可磁化纳米粒子的所述膜。
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公开(公告)号：CN105980872A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480074598.7
申请日：2014-12-26
Applicant: 新加坡国立大学
Inventor： G·卡隆 , H·杨 , 申荣俊 , 安东尼奥·埃利奥·卡斯特罗·内托
CPC classification number: G01R33/09 , B82Y25/00 , H01F10/005
Abstract: 提供一种石墨烯结构。石墨烯结构包括衬底层和设置在衬底层上的至少两层石墨烯层。该至少两层石墨烯层包括栅电压调谐层和有效石墨烯层，并且有效石墨烯层包括一个或多个石墨烯层。石墨烯结构的磁阻比率由栅电压调谐层和有效石墨烯层之间的电荷迁移率和/或载流子密度的差确定。栅电压调谐层的电荷迁移率和/或载流子密度可以由施加至石墨烯结构的栅电压调谐。还提供一种包括石墨烯结构的磁场传感器。
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