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公开(公告)号:CN103441053A
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN201310095077.7
申请日:2013-03-22
Applicant: 深圳市槟城电子有限公司
Inventor: 付猛
CPC classification number: H01J17/04 , H01J9/02 , H01J9/265 , H01J17/183 , H01J19/02 , H01J19/28 , H01J19/54 , H01J21/00 , H01J21/36
Abstract: 本发明提供了一种集成气体放电管。该集成气体放电管通过将气体放电管结构调整为上盖和绝缘基座,在绝缘基座的底面的内侧面和外侧面分别进行电极的集成,有效提高了气体放电管的放电效果,大大简化了多端对地气体放电管的制备工序和流程,使得制备工序大大简化,实现气体放电管的批量生产和高度集成性。本发明还提供一种集成气体放电管的制备方法。
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公开(公告)号:CN103441053B
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201310095077.7
申请日:2013-03-22
Applicant: 深圳市槟城电子有限公司
Inventor: 付猛
CPC classification number: H01J17/04 , H01J9/02 , H01J9/265 , H01J17/183 , H01J19/02 , H01J19/28 , H01J19/54 , H01J21/00 , H01J21/36
Abstract: 本发明提供了一种集成气体放电管。该集成气体放电管通过将气体放电管结构调整为上盖和绝缘基座,在绝缘基座的底面的内侧面和外侧面分别进行电极的集成,有效提高了气体放电管的放电效果,大大简化了多端对地气体放电管的制备工序和流程,使得制备工序大大简化,实现气体放电管的批量生产和高度集成性。本发明还提供一种集成气体放电管的制备方法。
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公开(公告)号:CN103748971A
公开(公告)日:2014-04-23
申请号:CN201280035797.8
申请日:2012-07-13
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H05H1/34 , H01L21/3065 , C23C16/505
CPC classification number: H01J37/32862 , B08B3/00 , B08B3/02 , H01J21/00 , H01J37/32532 , H01L21/00
Abstract: 在一实施方式中,双相清洁室可包括湍流混合室、流体扩散器、等静压室和破裂减轻喷嘴。所述湍流混合室可与第一流体入口和第二流体入口流体连通。所述流体扩散器可与所述湍流混合室流体连通。所述破裂减轻喷嘴可包括第一流体收集支管、第二流体收集支管和位移阻尼突起部。所述位移阻尼突起部可设置在所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管之间且可自所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管中的每一个偏移,且朝向所述流体扩散器。从所述第一流体入口、所述第二流体入口、或者从该二者引入的加压清洁流体流过所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管的所述出口通道。
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公开(公告)号:CN103748971B
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201280035797.8
申请日:2012-07-13
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H05H1/34 , H01L21/3065 , C23C16/505
CPC classification number: H01J37/32862 , B08B3/00 , B08B3/02 , H01J21/00 , H01J37/32532 , H01L21/00
Abstract: 在一实施方式中,双相清洁室可包括湍流混合室、流体扩散器、等静压室和破裂减轻喷嘴。所述湍流混合室可与第一流体入口和第二流体入口流体连通。所述流体扩散器可与所述湍流混合室流体连通。所述破裂减轻喷嘴可包括第一流体收集支管、第二流体收集支管和位移阻尼突起部。所述位移阻尼突起部可设置在所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管之间且可自所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管中的每一个偏移,且朝向所述流体扩散器。从所述第一流体入口、所述第二流体入口、或者从该二者引入的加压清洁流体流过所述第一流体收集支管和所述第二流体收集支管的所述出口通道。
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公开(公告)号:CN104505326A
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201410797353.9
申请日:2014-12-19
Applicant: 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心
Inventor: 张庆钊
IPC: H01J37/32 , H01L21/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32458 , H01J21/00 , H01J37/32431 , H01J37/32623 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子设备,包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极、等离子聚焦结构和磁性件,所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部,所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部,所述衬底设置在所述下电极的上部,所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部,所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部,且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部,用于控制所述等离子体的流体分布,所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接,且为中空结构,用于施加磁场。本申请实施例通过提供一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备,能够控制等离子体的流体分布,使得等离子体与产品的表面反应更充分。
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