离子迁移率分离装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104170053A

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201280070566.0

    申请日:2012-12-21

    Abstract: 本发明公开了根据离子的离子迁移率来分离离子的离子迁移率分离器(4)和方法。设置具有多个电极(8)的RF离子引导件,所述电极(8)设置成形成在闭环中延伸的离子引导路径。将RF电压供给至电极(8)中的至少一些,以便将离子限制在所述离子引导路径内。沿离子引导件的纵向轴线的至少一部分维持DC电压梯度,其中,所述电压梯度促使离子围绕离子引导件经历一个或多个循环并且由此致使离子在它们沿离子引导件通过时根据它们的离子迁移率进行分离。闭环的离子引导件使得离子迁移率分离器的分辨率能够被提高,而无需大型装置,这是由于通过该装置的漂移长度可通过使离子围绕该装置经历多个循环而被增长。

    一种基于MEMS工艺的多层结构矩形离子阱及其制备方法

    公开(公告)号:CN106024575A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610537862.7

    申请日:2016-07-08

    Applicant: 清华大学

    CPC classification number: H01J49/0018 H01J49/4225 H01J49/4235

    Abstract: 一种基于MEMS工艺的多层结构矩形离子阱及其制备方法,所述的矩形离子阱包括上玻璃层、下玻璃层、生长在上玻璃层下表面的上电极层、生长在下玻璃层上表面的下电极层,以及键合在上玻璃层下表面和下玻璃层上表面之间的硅层,构成玻璃‑金属‑硅‑金属‑玻璃的多层键合结构,其中上电极层、硅层和下电极层围成离子流通道;离子流通道沿离子流方向依次为离子聚焦区和离子分析区。本发明采用MEMS工艺,耗能低、加工精度高、成品率高、键合强度大,长期稳定性好,且矩形离子阱具有体积小、重量轻等优点;在微型质谱仪分析检测领域有着广泛的应用前景。

    离子阱阵列
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101063672A

    公开(公告)日:2007-10-31

    申请号:CN200610026283.2

    申请日:2006-04-29

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 丁传凡 丁力

    CPC classification number: H01J49/4225 H01J49/004 H01J49/065 H01J49/4235

    Abstract: 本发明离子阱阵列与离子存储与分析技术相关,具体地说与离子存储和按离子的质荷比等特性来分检或探测的分析仪器有关。一种离子存储与分析装置,包含至少两排相互平行放置的电极阵列,其电极阵列中有相互平行的两条以上的条状电极,各条电极上施加不同相位的交流电压,使在两排平行电极阵列之间的空间里产生交变电场,进而在此空间构成多个并列的直线形离子束缚区,其中,这些直线形离子束缚区之间相通,无物体隔障。一种离子存储与分析方法,使用上述装置,在两平行电极阵列之间的空间里产生交变电场,进而在此空间中产生多个相通的沿直线轴束缚离子的区域;离子在这些区域被捕获、冷却,并因其质荷比不同而受到鉴别。

    质谱仪
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101305444A

    公开(公告)日:2008-11-12

    申请号:CN200680040578.3

    申请日:2006-11-01

    CPC classification number: H01J49/062 H01J49/004 H01J49/4235 H01J49/427

    Abstract: 提供了质量分析器(2),其包括具有孔的多个电极,在使用时离子穿过这些孔。沿着质量分析器(2)的轴产生多个伪势沟槽。伪势沟槽的幅度或深度与离子质荷比成反比。一个或多个瞬态DC电压被施加到质量分析器(2)的电极以便沿着质量分析器(2)的长度驱策离子。向电极施加的瞬态DC电压的幅度随时间增大,且使得离子以质荷比的逆序从质量分析器(2)射出。

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