-
公开(公告)号：CN105190827B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201380076616.0
申请日：2013-05-21
Applicant: 北卡罗来纳-查佩尔山大学
IPC: H01J49/02
CPC classification number: H01J49/4245 , H01J49/0013 , H01J49/0031 , H01J49/02 , H01J49/06 , H01J49/062 , H01J49/4235 , H01J49/424 , H01J49/4255
Abstract: 公开了种用于捕集带电粒子的微型电极设备,所述设备沿纵向方向包括:第端盖电极;具有孔口的中心电极;以及第二端盖电极。所述孔口在侧向平面中伸长并沿纵向方向延伸穿过中心电极,且中心电极在垂直于纵向方向的侧向平面中包围孔口以限定用于捕集带电粒子的横向腔体。
-
公开(公告)号：CN107112192A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580062118.X
申请日：2015-10-30
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01J49/0036 , H01J49/38 , H01J49/4245
Abstract: 本发明公开了一种使用质谱仪量化离子样品中的一种或多种离子种类的方法，该方法包括以下步骤：获取与所述质谱仪中的离子的运动引起的信号相对应的时域数据集；通过对其应用非对称窗函数来调整所述数据集；产生频域中吸收模式质谱包括对调整后的数据集应用傅里叶变换的步骤；对于与所述一种或多种离子种类相关联的质谱中的一个或多个峰，确定峰范围；对于每个确定的峰范围，对各峰范围内的谱数据进行积分，以产生各峰强度值；以及，基于各峰强度值，量化所述一种或多种离子种类中的每一种。
-
公开(公告)号：CN103270573B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201180062947.X
申请日：2011-12-29
Applicant: 莱克公司
Inventor： A·韦列奇科夫
CPC classification number: H01J49/0031 , H01J49/027 , H01J49/06 , H01J49/406 , H01J49/4205 , H01J49/4245 , H01J49/4255
Abstract: 公开了一种分析静电阱（14）中的质谱分析的方法。静电阱（14）限定静电场体积，并且包括具有静止的非倾斜电势的阱电极。该方法包括将连续的离子束注入到静电场体积中。
-
公开(公告)号：CN103270573A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062947.X
申请日：2011-12-29
Applicant: 莱克公司
Inventor： A·韦列奇科夫
CPC classification number: H01J49/0031 , H01J49/027 , H01J49/06 , H01J49/406 , H01J49/4205 , H01J49/4245 , H01J49/4255
Abstract: 公开了一种分析静电阱（14）中的质谱分析的方法。静电阱（14）限定静电场体积，并且包括具有静止的非倾斜电势的阱电极。该方法包括将连续的离子束注入到静电场体积中。
-
公开(公告)号：CN101730922B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880021462.4
申请日：2008-06-20
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 乌里·戈利科夫 , 康斯坦丁·索洛维科夫 , 米哈伊尔·苏达科夫 , 熊代州三夫
CPC classification number: H01J49/4245 , H01J49/406
Abstract: 本发明公开一种多反射离子光学设备，包括：静电场产生装置，其被配置以产生由静电电势的第一和第二分布Φ、Φ的叠加确定的静电场。第一分布Φ使离子接受沿飞行方向的能量聚焦，和第二分布Φ使离子接受沿一个横向方向的稳定性，使离子接受沿另一个横向方向的稳定性持续沿所述一个横向方向至少有限数目振动的时间，并使离子接受沿所述一个横向方向能量聚焦预定能量范围。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102939638A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201080065023.0
申请日：2010-12-30
Applicant: 莱克公司
Inventor： 阿纳托利·韦列奇科夫
IPC: H01J49/40
CPC classification number: H01J49/406 , H01J49/0036 , H01J49/06 , H01J49/282 , H01J49/40 , H01J49/401 , H01J49/4245 , H01J49/48
Abstract: 针对利用宽且发散的离子包的操作公开了一种开口静电阱质谱仪。检测器上的信号由对应于各种离子循环（称为多重谱）的信号构成。使用多重谱内的相对强度的可再现分布，可以针对较稀疏的谱（例如，通过级联质谱仪的裂解单元、经过离子迁移率和差分离子迁移率分离器的谱）对信号进行解扰。针对具体的脉冲离子源和脉冲转换器（例如，正交加速器、离子导向器和离子阱）提供各种实施例。本方法和设备提高了脉冲转换器的占空比，改进了开口阱分析仪的空间电荷容限，并且扩展了飞行时间检测器的动态范围。
-
公开(公告)号：CN102648511A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201080029456.0
申请日：2010-05-05
Applicant: 布鲁克机械公司
Inventor： 葛拉多·A·布鲁克尔 , 肯尼斯·D·凡安特卫普 , G·杰佛瑞·拉司邦 , 史考特·C·海恩布希 , 麦可·N·肖特
CPC classification number: H01J49/4245 , H01J49/0063 , H01J49/429
Abstract: 一种离子陷阱包含电极结构，其包含第一和第二相反镜面电极和其间的中心透镜，所述电极结构产生使得离子在自然振荡频率下被限制于若干轨迹的静电电位，所述限制电位为非谐的。所述离子陷阱还包含具有激励频率f的AC激励源，其在所述离子的所述自然振荡频率的约两倍的频率下激励被限制的离子，所述AC激励频率源优选地连接到所述中心透镜。在一个实施例中，所述离子陷阱包含扫描控件，其质量选择性地减小所述AC激励频率与所述离子的所述自然振荡频率的约两倍之间的频率差。
-
公开(公告)号：CN104779132B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510194511.6
申请日：2010-05-05
Applicant: MKS仪器公司
Inventor： 葛拉多·A·布鲁克尔 , 肯尼斯·D·凡 , 安特卫普 , G·杰佛瑞·拉司邦 , 史考特·C·海恩布希 , 麦可·N·肖特 , 巴巴拉·简·欣奇 , 列克谢·V·艾马柯夫
CPC classification number: H01J49/4245 , H01J49/0063 , H01J49/429
Abstract: 一种离子陷阱包含电极结构，其包含第一和第二相反镜面电极和其间的中心透镜，所述电极结构产生使得离子在自然振荡频率下被限制于若干轨迹的静电电位，所述限制电位为非谐的。所述离子陷阱还包含具有激励频率f的AC激励源，其在所述离子的所述自然振荡频率的约两倍的频率下激励被限制的离子，所述AC激励频率源优选地连接到所述中心透镜。在一个实施例中，所述离子陷阱包含扫描控件，其质量选择性地减小所述AC激励频率与所述离子的所述自然振荡频率的约两倍之间的频率差。
-
公开(公告)号：CN105097414B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510253332.5
申请日：2015-05-18
Applicant: 塞莫费雪科学(不来梅)有限公司
IPC: H01J49/16
CPC classification number: H01J49/427 , H01J49/0031 , H01J49/0481 , H01J49/063 , H01J49/282 , H01J49/40 , H01J49/4225 , H01J49/424 , H01J49/4245
Abstract: 一种从四极离子阱喷射待分析的离子的方法，其中俘获场通过施加到该阱的一个或多个电极上的一个或多个RF电压产生，该方法包括以下步骤：冷却该四极离子阱内的这些待分析的离子直到这些离子热化；减小施加到该四极离子阱上的一个或多个RF电压的幅值，并且在该一个或多个RF电压已经达到过零点之后施加这些减小幅值的RF电压持续半周期；断开施加到该四极离子阱上的这些RF电压；并且从该四极离子阱喷射这些待分析的离子。
-
公开(公告)号：CN106128932A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610290324.2
申请日：2016-05-04
Applicant: 塞莫费雪科学(不来梅)有限公司
Inventor： A·A·马卡罗夫
IPC: H01J49/42
CPC classification number: H01J49/4245 , H01J49/062 , H01J49/4295 , H01J49/423 , H01J49/426
Abstract: 一种将离子注射到静电阱中的方法，其包括：在离子源中产生离子；将离子从所述离子源传输到所述离子源下游的离子存储装置；从所述离子存储装置将离子释放到所述离子存储装置下游的离子导引件；以及从所述离子导引件中作为脉冲将离子加速到轨道静电阱中以用于质量分析，其中在离子从所述离子导引件离开时离子的平均速度基本上高于离子从所述离子存储装置离开时的离子的平均速度，其中在从所述离子存储装置释放离子与从所述离子导引件加速离子之间存在延迟。以及适用于所述方法的设备。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
52
records
(took 0.016 seconds)
