公开(公告)号：CN1487564A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03156519.0

申请日：2003-09-03

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 樋口天光 ,  岩下节也 ,  宫泽弘

IPC: H01L21/08

CPC classification number: H01L21/31691 ,  H01L21/32058 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L41/316 ,  H01L41/332

Abstract: 本发明提供了一种电子装置用衬底，其中在衬底上形成重新构成表面或氢封端表面的处理不再是必要的，并且在衬底上形成的缓冲层是沿(100)取向外延生长的，以及一种该衬底的制造方法。电子装置用衬底100包括：由硅构成的衬底11，和在衬底11形成薄膜表面上层压外延生成的具有萤石结构的第一缓冲层12和第二缓冲层13，具有分层的钙钛矿结构的第一氧化物电极层14，具有简单钙钛矿结构的第二氧化物电极层15。通过在SiO升华区在自然氧化物薄膜上照射金属等离子体，使得第一缓冲层12的外延生长速率高于SiO2的生成速率。

公开(公告)号：CN1260774C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN03156519.0

申请日：2003-09-03

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 樋口天光 ,  岩下节也 ,  宫泽弘

IPC: H01L21/08

CPC classification number: H01L21/31691 ,  H01L21/32058 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L41/316 ,  H01L41/332

Abstract: 本发明提供了一种电子装置用衬底，其中在衬底上形成重新构成表面或氢封端表面的处理不再是必要的，并且在衬底上形成的缓冲层是沿(100)取向外延生长的，以及一种该衬底的制造方法。电子装置用衬底100包括：由硅构成的衬底11，和在衬底11形成薄膜表面上层压外延生成的具有萤石结构的第一缓冲层12和第二缓冲层13，具有分层的钙钛矿结构的第一氧化物电极层14，具有简单钙钛矿结构的第二氧化物电极层15。通过在SiO升华区在自然氧化物薄膜上照射金属等离子体，使得第一缓冲层12的外延生长速率高于SiO2的生成速率。