一种超高真空电子束发射装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117912919A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202311749374.9

    申请日:2023-12-19

    Abstract: 本发明提出一种超高真空电子束发射装置,包括基体组件和磁场组件,所述基体组件中部设有灯丝块组件,所述灯丝组件包括灯丝,所述灯丝通过灯丝夹固定安装在阴极块上端,所述阴极块正面底端连接导电片,所述阴极块正面顶部设有发射口,所述阴极块背面连接有绝缘块,所述绝缘块通过固定块固定在阳极块上,阳极块顶部有阳极板,本发明将灯丝块隐藏安装,并优化阴阳极块及磁场设置,以获得更高能量的蒸发粒子。同时使用特殊的密封形式与材料让装置能在超高真空下使用。

    一种利用激光电离注入获得电子微聚束的方法

    公开(公告)号:CN115985740A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211439860.6

    申请日:2022-11-17

    Abstract: 一种利用激光电离注入获得电子微聚束的方法,该方法基于激光尾波场加速系统实现,所述方法包括以下步骤:(1)提供激光脉冲;(2)使激光脉冲进入注入级,注入级采用高原子序数气体与低原子序数气体的混合气体等离子体;激光脉冲与混合气体相互作用,形成电子微聚束;(3)在激光脉冲的峰值强度附近电离高原子序数原子内层电子,(4)被电离释放后的具有初始空间分布的电子滑向等离子体空泡尾部,(5)使激光脉冲和电子微聚束进入加速级,所述加速级使用低原子序数气体,电子微聚束被持续聚束加速。本发明利用激光电离注入获得电子微聚束,大大的降低了实验条件节约了成本。

    一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法

    公开(公告)号:CN111613499B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202010345082.9

    申请日:2020-04-27

    Abstract: 本申请公开了一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法,在该方法中,衬底被分为器件区和对准区。其中,在器件区内铺设碳纳米管,并在器件区内铺设碳纳米管,制备第二电极对阵列,其中所述第二电极对阵列用于固定所述碳纳米管并给所述碳纳米管提供电压,除去预设范围外的碳纳米管,在器件区内制备第一电极对阵列,其中所述第一电极对阵列与所述第二电极对阵列对应设置并连接所述第二电极对阵列,最后在所述碳纳米管相对区域的所述衬底上制备沟槽,其中所述碳纳米管悬浮于所述沟槽上。通过应用本申请的技术方案,可以实现一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法,解决了相关技术中存在的制备电子源失败率过高的问题。

    一种5keV电子枪
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114141596B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202111450435.2

    申请日:2021-11-30

    Inventor: 郭方准 石晓倩

    Abstract: 本发明提供一种5keV电子枪。本发明包括电子发射装置、控制极装置、聚焦装置、支撑装置和电极,所述电子发射装置、控制极装置、聚焦装置依次通过支撑装置相连,所述电子发射装置用于发射电子,其包括处于负电位的灯丝以及与其相连的灯丝支撑装置,所述控制极装置用于控制电子的数量和速度,所述控制极装置处于负电位,且其电位低于阴极灯丝电位,同时所述控制极装置中心开有用于灯丝释放出的热电子通过的中心孔,所述聚焦装置用于对形成的电子束的形状进行约束,所述电子发射装置、控制极装置、聚焦装置分别与灯丝电极、控制极电极、聚焦极电极相连,所述聚焦装置由聚焦极和阳极构成。本发明能量、束斑可调,成本较低,效果较好。

    三维物品的增量制造
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108541332B

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201680079171.5

    申请日:2016-10-13

    Inventor: M.法格

    Abstract: 本发明涉及一种通过接连地沉积粉末材料的单独层而形成三维物品的方法,所述粉末材料的单独层被熔融在一起以便形成物品,其包括操作包括阴极(102)、栅极(104)以及阳极(106)的三极电子射束源的方法,具有如下步骤:(a)将电子射束电流、阴极加热功率、栅极电势Ug和阴极电势Uc设置到预定的起始值;(b)减小阴极加热功率并且降低Ug‑Uc电势差以用于维持预定的电子射束电流;(c)利用至少一个X射线检测器(190)来检测发源自电子射束源的X射线信号;(d)重复所述减小和检测步骤直到所检测的X射线信号高于预定值为止;以及(e)使阴极加热功率在导致高于所述预定值的X射线信号的加热功率值之上增加预定安全值。从而确定了最低可接受的阴极加热功率而不影响电子射束电流,并且因而延长了阴极元件的寿命时间。

    片上微型热电子源及其制作方法

    公开(公告)号:CN110610839A

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201910987503.5

    申请日:2019-10-17

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 魏贤龙 王雨薇

    Abstract: 本发明公开了一种片上微型热电子源及其制作方法,在衬底上形成至少一个电子发射体单元,并在衬底上形成控制电极,电子发射体单元相对两端分别连接一控制电极,用于为电子发射体单元提供电压,以使得电子发射体单元因为焦耳效应发热出射电子,衬底与电子发射体单元相对的区域具有沟槽,以降低电子发射体单元通过衬底的热量耗散,提高加热效率。可见,本发明技术方案提供了一种新型的片上微型热电子源,兼具传统热发射电子源的发射电流大、真空度要求低、发射性能稳定等诸多优点,且可以直接在衬底上形成大规模的阵列电子发射体单元以及对应的控制电极,具有较高的阵列集成度。

    片上微型热电子源及其制作方法

    公开(公告)号:CN110610839B

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN201910987503.5

    申请日:2019-10-17

    Applicant: 北京大学

    Inventor: 魏贤龙 王雨薇

    Abstract: 本发明公开了一种片上微型热电子源及其制作方法,在衬底上形成至少一个电子发射体单元,并在衬底上形成控制电极,电子发射体单元相对两端分别连接一控制电极,用于为电子发射体单元提供电压,以使得电子发射体单元因为焦耳效应发热出射电子,衬底与电子发射体单元相对的区域具有沟槽,以降低电子发射体单元通过衬底的热量耗散,提高加热效率。可见,本发明技术方案提供了一种新型的片上微型热电子源,兼具传统热发射电子源的发射电流大、真空度要求低、发射性能稳定等诸多优点,且可以直接在衬底上形成大规模的阵列电子发射体单元以及对应的控制电极,具有较高的阵列集成度。

    一种新型高压缩比窄间距平面分布多注电子枪

    公开(公告)号:CN118197886A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202311257108.4

    申请日:2023-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种新型高压缩比窄间距平面分布多注电子枪,属于电子器件技术领域。该电子枪在阴极和阳极之间设置控制电极,电子枪从阴极的电子发射面发射电子注,电子注采用一维压缩的方式进行压缩后通过阳极孔射出。本发明采用一维压缩的方式对电子注进行压缩,具体仅在Y方向对电子注压缩,可以大大降低相邻电子注之间的轴间距;阴极与阳极之间设置控制电极可以很好解决电子注在X方向的发散问题,增加了电子枪的射程,实现高压缩比。

    一种用于磁控注入电子枪的返流电子抑制器件

    公开(公告)号:CN116504602A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310722006.9

    申请日:2023-06-19

    Abstract: 本发明公开了一种用于磁控注入电子枪的返流电子抑制器件,涉及磁控注入电子枪反流电子抑制领域,其包括套设在电子枪阴极上的直角结构遮挡电极,以及套设在直角结构遮挡电极前端的遮挡块;直角结构遮挡电极的电压与电子枪阴极相同;直角结构遮挡电极的直角与阴极发射带中心的水平距离为48 mm,直角结构遮挡电极的直角高度大于等于6mm;遮挡块的右端与阴极发射带中心的水平距离为34 mm,遮挡块的高度大于等于5mm。本发明能有效抑制返流电子向电子枪前端运动,防止返流电子击打在电子枪前端的陶瓷上,保障了回旋行波管的长时间稳定安全工作。

    用于发射带电粒子的发射器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116195023A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202180061360.0

    申请日:2021-07-15

    Abstract: 一种发射器,被配置为发射带电粒子。发射器包括主体、金属层和带电粒子源层。主体具有尖端。金属层至少在该尖端上是第一金属。带电粒子源层在金属层上。尖端包括不同于第一金属的第二金属。

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