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公开(公告)号：CN116230474A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310209269.X
申请日：2023-03-07
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
Abstract: 本发明涉及射线设备技术领域，具体涉及一种射线源装置。本发明旨在解决现有射线源装置的辐照效率低的技术问题。为此目的，本发明提供了一种射线源装置，射线源装置包括：密封管，密封管的内部形成有密封容纳腔；射线发生器，射线发生器设置于密封管并向密封容纳腔发射射线；硅胶体，硅胶体包覆于密封管与射线发生器之间的连接处。本发明提供的射线源装置通过在射线源装置的导线和电极的外露部分包覆硅胶体，防止两个电极间的高压击穿放电，相较于现有的将射线源装置整体浸没于介质油层的绝缘方案，本发明能够减少射线的非弹性散射量和被吸收量，提高了射线源装置的辐照效率和能量效率，实现了高性能和高效率的射线源装置的制备。
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公开(公告)号：CN116207619A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310096646.3
申请日：2023-02-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01T23/00
Abstract: 本发明公开一种电子束电离式离子风装置，主要包括真空腔室、电子源、电子束加速栅极、电子束出射窗口和第一离子加速电极，还可包括第二离子加速电极。本装置利用电子源在真空环境中产生一定电流的电子束，将电子束通过电子束加速栅极加速后经过电子束出射窗口引出到外界大气环境，引出电子束与空气分子发生碰撞反应从而电离空气。本发明采用的电子束电离，可以摆脱传统气体放电电离方式需要的高度不对称电场设计，同时电子具有束流大，能量高，可控性高的特点，可以提高空气电离效率，提高离子密度，从而增大离子风风速和能量效率，而且可以通过控制电子束位置和方向，方便地控制离子产生的空间分布和密度分布，从而增强离子风的可控性。
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公开(公告)号：CN116207617A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310141587.7
申请日：2023-02-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01T19/00
Abstract: 本发明公开一种提高电晕放电离子风风速的装置及方法，涉及离子风装置领域。本装置包括放电电极、收集电极和绝缘支架，其中，所述放电电极和所述收集电极固定于所述绝缘支架上，并被空气或其它气体间隔开；所述收集电极相对于所述放电电极具有负的或正的电压，以将所述放电电极附近的气体分子电离，并将电子或离子加速以产生离子风；所述放电电极内通过电流以使其被加热，以提高电极周围气体分子的电离效率和离子风风速。本发明能够降低电晕放电阈值电压，提高电晕放电离子风设备风速，提高电晕放电离子风设备能量效率。
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公开(公告)号：CN111613499B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010345082.9
申请日：2020-04-27
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: H01J9/04 , H01J37/075 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请公开了一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法，在该方法中，衬底被分为器件区和对准区。其中，在器件区内铺设碳纳米管，并在器件区内铺设碳纳米管，制备第二电极对阵列，其中所述第二电极对阵列用于固定所述碳纳米管并给所述碳纳米管提供电压，除去预设范围外的碳纳米管，在器件区内制备第一电极对阵列，其中所述第一电极对阵列与所述第二电极对阵列对应设置并连接所述第二电极对阵列，最后在所述碳纳米管相对区域的所述衬底上制备沟槽，其中所述碳纳米管悬浮于所述沟槽上。通过应用本申请的技术方案，可以实现一种晶圆级片上微型热电子源的制备方法，解决了相关技术中存在的制备电子源失败率过高的问题。
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公开(公告)号：CN110610839A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910987503.5
申请日：2019-10-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/075
Abstract: 本发明公开了一种片上微型热电子源及其制作方法，在衬底上形成至少一个电子发射体单元，并在衬底上形成控制电极，电子发射体单元相对两端分别连接一控制电极，用于为电子发射体单元提供电压，以使得电子发射体单元因为焦耳效应发热出射电子，衬底与电子发射体单元相对的区域具有沟槽，以降低电子发射体单元通过衬底的热量耗散，提高加热效率。可见，本发明技术方案提供了一种新型的片上微型热电子源，兼具传统热发射电子源的发射电流大、真空度要求低、发射性能稳定等诸多优点，且可以直接在衬底上形成大规模的阵列电子发射体单元以及对应的控制电极，具有较高的阵列集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109273337A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811339577.X
申请日：2018-11-12
Applicant: 北京大学
Inventor： 魏贤龙
Abstract: 本申请公开了一种片上微型X射线源及其制造方法，该X射线源基于片上微型电子源，该片上微型电子源可以采用微加工技术加工得到。因此，相较于现有技术中采用传统机械加工技术制成的片上微型X射线源，本申请提供的片上微型X射线源可以采用微加工技术加工得到，因此，其尺寸能够进一步减小，而且能够降低制备成本。而且，该片上微型X射线源具有X射线剂量稳定、工作真空要求低、开关响应快、可集成、可批量加工等优点，可应用于小型便携的各类X射线检测分析和治疗设备。
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公开(公告)号：CN106252179A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610757325.3
申请日：2016-08-29
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01J9/18 , H01J37/073
Abstract: 本发明公布了一种基于阻变材料的微型电子源及其阵列和实现方法。所述微型电子源包括一阻变材料单元和与之连接的一电极对，所述电极对用于驱动阻变材料单元发射电子。一定数量的所述微型电子源排布在同一衬底上构成微型电子源阵列。本发明的微型电子源及其阵列具有结构简单、加工方便、工作电压和温度低、发射性能好等特点，可以广泛地应用于涉及电子源的各种电子设备。
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公开(公告)号：CN104992890A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510250562.6
申请日：2015-05-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种电子发射体功函数可调的阴极，包括一电子发射体；位于所述电子发射体两端，并和所述电子发射体电连接的一电极对；调制所述电子发射体功函数的一栅电极；隔离所述栅电极和所述电子发射体的一隔离层。还提供一种电子发射体功函数可调的阴极阵列，其包含一定数量的以上任意一种电子发射体功函数可调的阴极，所述一定数量的阴极排布在同一衬底表面。本发明提出的电子发射体功函数可调的新型电子发射阴极及其阵列，可通过栅电极的调制来降低电子发射体的功函数，从而提高阴极的性能，可以广泛地应用于涉及电子发射阴极的各种电子设备。
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公开(公告)号：CN102074430A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010578753.2
申请日：2010-12-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01J1/312
Abstract: 本发明公开了一种声子助电子发射阴极和声子助电子发射器件，属于电子科学技术领域。所述声子助电子发射阴极包括电子发射体和电极对，所述电子发射体中的声子的湮灭时间比产生时间长，施加电场后，电子声子相互作用能够产生非平衡声子；电子发射体中的电子被电场加速后受到声子的散射，散射时，电子能够吸收声子；散射后，电子能够保持运动方向不变。所述声子助电子发射器件包括所述声子助电子发射阴极，支撑物，和阳极。本发明可广泛用于显示器、电子源、光源等涉及电子发射的各种电子设备。
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公开(公告)号：CN113140434B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202010055354.1
申请日：2020-01-17
Applicant: 北京大学
Inventor： 魏贤龙
Abstract: 本申请公开了一种片上微型电子源及其制造方法、电子源系统、电子设备，其中片上微型电子源包括衬底，衬底上形成有驱动电极对，驱动电极对存在间隙，间隙中形成有电子隧穿结，驱动电极对可以用于驱动电子隧穿结发出电子束，在衬底上方可以固定聚焦电极，聚焦电极上形成有纵向贯穿聚焦电极的聚焦通道，用于在电子束通过时减小电子束的束斑尺寸。也就是说，本申请实施例中，可以通过驱动电极驱动电子隧穿结发出电子束，电子隧穿结无需穿过多个材料层，具有更高的发射效率，通过聚焦电极可以对电子束进行聚集，从而减小电子束的束斑尺寸，这样可以得到发射电流较大，且束斑尺寸较小的电子束。
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