公开(公告)号：US20100065962A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12624622

申请日：2009-11-24

Applicant: Reinhold Bayerer ,  Thomas Hunger

Inventor： Reinhold Bayerer ,  Thomas Hunger

IPC: H01L23/15 ,  H05K1/03 ,  H05K3/10

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0207 ,  H05K1/0256 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/053 ,  H05K3/4046 ,  H05K3/4061 ,  H05K3/44 ,  H05K3/462 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4641 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/0379 ,  H05K2201/09145 ,  H05K2201/09554 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/10234 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: A semiconductor module includes a multilayer substrate. The multilayer substrate includes a first metal layer and a first ceramic layer over the first metal layer. An edge of the first ceramic layer extends beyond an edge of the first metal layer. The multilayer substrate includes a second metal layer over the first ceramic layer and a second ceramic layer over the second metal layer. An edge of the second ceramic layer extends beyond an edge of the second metal layer. The multilayer substrate includes a third metal layer over the second ceramic layer.

Abstract translation: 半导体模块包括多层基板。 多层基板包括第一金属层和第一金属层上的第一陶瓷层。 第一陶瓷层的边缘延伸超过第一金属层的边缘。 多层基板包括在第一陶瓷层之上的第二金属层和在第二金属层上的第二陶瓷层。 第二陶瓷层的边缘延伸超过第二金属层的边缘。 多层基板包括在第二陶瓷层上的第三金属层。

公开(公告)号：US08018047B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US12624622

申请日：2009-11-24

Applicant: Reinhold Bayerer ,  Thomas Hunger

Inventor： Reinhold Bayerer ,  Thomas Hunger

IPC: H01L23/053 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0207 ,  H05K1/0256 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/053 ,  H05K3/4046 ,  H05K3/4061 ,  H05K3/44 ,  H05K3/462 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4641 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/0379 ,  H05K2201/09145 ,  H05K2201/09554 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2201/10234 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: A semiconductor module includes a multilayer substrate. The multilayer substrate includes a first metal layer and a first ceramic layer over the first metal layer. An edge of the first ceramic layer extends beyond an edge of the first metal layer. The multilayer substrate includes a second metal layer over the first ceramic layer and a second ceramic layer over the second metal layer. An edge of the second ceramic layer extends beyond an edge of the second metal layer. The multilayer substrate includes a third metal layer over the second ceramic layer.

Abstract translation: 半导体模块包括多层基板。 多层基板包括第一金属层和第一金属层上的第一陶瓷层。 第一陶瓷层的边缘延伸超过第一金属层的边缘。 多层基板包括在第一陶瓷层之上的第二金属层和在第二金属层上的第二陶瓷层。 第二陶瓷层的边缘延伸超过第二金属层的边缘。 多层基板包括在第二陶瓷层上的第三金属层。