公开(公告)号：US20160372330A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：US14745367

申请日：2015-06-19

Applicant: Applied Materials, Inc.

Inventor： Minrui YU ,  Kai MA ,  Thomas KWON ,  Kaushal K. SINGH ,  Er-Xuan PING

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/06 ,  H01L23/532 ,  C23C28/00 ,  H01L21/768 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16

CPC classification number: H01L23/53266 ,  C23C14/0641 ,  C23C16/401 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  H01L21/76838

Abstract: The present disclosure provides a film stack structure formed on a substrate and methods for forming the film stack structure on the substrate. In one embodiment, the method for forming a film stack structure on a substrate includes depositing a first adhesion layer on an oxide layer formed on the substrate and depositing a metal layer on the first adhesion layer, wherein the first adhesion layer and the metal layer form a stress neutral structure.

Abstract translation: 本公开提供了一种形成在基板上的薄膜叠层结构以及在该基板上形成薄膜叠层结构的方法。 在一个实施例中，用于在衬底上形成膜堆叠结构的方法包括在形成在衬底上的氧化物层上沉积第一粘附层并在第一粘合层上沉积金属层，其中第一粘附层和金属层形成 应力中性结构。