Semiconductor film bolometer thermal infrared detector
    1.
    发明授权
    Semiconductor film bolometer thermal infrared detector 失效
    半导体薄膜辐射热辐射热探测器

    公开(公告)号:US5369280A

    公开(公告)日:1994-11-29

    申请号:US940883

    申请日:1992-12-17

    CPC classification number: G01J5/20 G01J2005/204

    Abstract: A thermal infrared detector comprising a dielectric pellicle suspended over a cavity in a substrate, the pellicle supporting a detector element comprising a heat sensitive semiconductor layer between a pair of thin fim metallic contracts, these being deposited on the pellicle, the cavity being formed by etching and removal of the substrate material through holes or slots in the surface of the substrate.

    Abstract translation: PCT No.PCT / AU91 / 00162 Sec。 371日期:1992年12月17日 102(e)日期1992年12月17日PCT 1991年4月24日提交PCT公布。 WO91 / 16607 PCT出版物 日期:1991年10月31日。一种热红外检测器,包括悬浮在衬底中的空腔上的电介质薄膜,所述防护薄膜组件支撑检测器元件,所述检测器元件包括一对薄金属合金之间的热敏半导体层,这些薄膜沉积在防护薄膜组件 通过蚀刻和去除衬底材料通过衬底表面中的孔或槽形成空腔。

    Infrared radiation detector
    2.
    发明授权
    Infrared radiation detector 失效
    红外辐射探测器

    公开(公告)号:US4574263A

    公开(公告)日:1986-03-04

    申请号:US742365

    申请日:1985-06-07

    CPC classification number: H01L37/02 G01J5/20

    Abstract: An infrared radiation detector in which a stable substrate (5) has a hole (10) through it and a pair of bonding pads (9) on two opposite sides of the hole, the hole being covered by a pellicle (6) of insulating or semi-conductor material with supports over the hole, a detector element (7) comprising an ultrathin infrared absorbing film of nickel, palladium, platinum or iridium less than 10 nm thick or a gold film less than 20 nm thick, two sides of the detector element connecting to the bonding pads (9) by thin film contacts (8).

    Abstract translation: PCT No.PCT / AU81 / 00130 Sec。 371日期1982年5月21日 102(e)日期1982年5月21日PCT提交1981年9月17日PCT公布。 公开号WO82 / 01066 日期:1982年4月1日。一种红外辐射检测器,其中稳定的基板(5)具有通孔的孔(10)和在孔的两个相对侧上的一对接合焊盘(9),所述孔被 绝缘或半导体材料的防护薄膜(6),其上具有支撑体的孔,检测器元件(7)包括小于10nm厚的镍,钯,铂或铱的超薄红外吸收膜或小于20nm的金膜 检测器元件的两侧通过薄膜触点(8)连接到接合焊盘(9)。

    Infrared intrusion sensor
    3.
    发明授权
    Infrared intrusion sensor 失效
    红外线入侵传感器

    公开(公告)号:US5465080A

    公开(公告)日:1995-11-07

    申请号:US295857

    申请日:1994-09-07

    CPC classification number: G08B13/19 G08B13/193 Y10S250/01

    Abstract: An infrared intrusion sensor includes an array of infrared detectors, infrared collection optics, a focal plane scanning device having a dither adapted to repetitively scan the infrared radiation across the detector array, signal process devices, and local or remote displays. The sensor incorporates heterodyne detection techniques with a local oscillator signal derived from the scanning frequency of the focal plane scanning device. The sensor has a low false alarm rate and enhanced detection range. A method of processing the signals includes analog to digital conversion, integration of the digital signals to produce a background signal, phase sensitive detection of the digital signal producing a target signal, and comparison of the background and target signals producing a difference signal. The difference signal is integrated to produce a background noise signal and processed to become a threshold signal which is finally compared to the difference signal to produce an alarm signal.

    Abstract translation: PCT No.PCT / AU93 / 00093 Sec。 371日期:1994年9月7日 102(e)1994年9月7日PCT 1993年3月8日PCT公布。 公开号WO93 / 18492 PCT 日期:1993年9月16日。红外入侵传感器包括红外探测器阵列,红外线收集光学器件,具有适于重复地扫描检测器阵列上的红外辐射的抖动的焦平面扫描装置,信号处理装置以及本地或远程 显示。 该传感器将外差检测技术与源自焦平面扫描装置的扫描频率的本地振荡器信号相结合。 传感器具有较低的误报率和增强的检测范围。 处理信号的方法包括模数转换,数字信号的积分以产生背景信号,产生目标信号的数字信号的相敏检测,以及产生差分信号的背景和目标信号的比较。 差分信号被积分以产生背景噪声信号并被处理成为最终与差分信号进行比较以产生报警信号的阈值信号。

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