公开(公告)号：US20150354055A1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：US14764007

申请日：2014-01-29

Applicant: PLANSEE SE

Inventor： CHRISTIAN LINKE ,  JIEHUA LI ,  PETER SCHUMACHER ,  WOLFRAM KNABL ,  GERHARD LEICHTFRIED

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/12 ,  B22F9/08 ,  H01L31/18 ,  B22F1/00 ,  C22C30/02 ,  C22C24/00 ,  H01J37/34 ,  B22F3/02 ,  B22F9/04

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/00 ,  B22F3/02 ,  B22F3/12 ,  B22F3/15 ,  B22F9/04 ,  B22F9/082 ,  B22F2003/1051 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0425 ,  C22C1/0491 ,  C22C9/00 ,  C22C24/00 ,  C22C28/00 ,  C22C30/02 ,  H01J37/3426 ,  H01L31/18 ,  B22F3/10 ,  B22F3/20 ,  B22F3/18 ,  B22F3/17

Abstract: A sputtering target is composed of an alloy consisting of 5 to 70 at % of at least one element from the group of (Ga, In) and 0.1 to 15 at % of Na, the remainder being Cu and typical impurities. The sputtering target includes at least one intermetallic Na-containing phase.

Abstract translation: 溅射靶由5〜70at％的由（Ga，In）组成的至少一种元素和0.1〜15at％的Na组成的合金构成，余量为Cu和典型的杂质。 溅射靶包括至少一种金属间含Na的相。