晶片的制造方法及半导体器件的制造方法

Invention Grant

CN100452309C 晶片的制造方法及半导体器件的制造方法失效 - 权利终止

Patent Title: 晶片的制造方法及半导体器件的制造方法
Patent Title (English): Method of manufacturing semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor device
Application No.: CN200510092145.X

Application Date: 2005-08-16
Publication No.: CN100452309C

Publication Date: 2009-01-14
Inventor: 井口知洋 , 菅谦太郎 , 富冈泰造
Applicant: 株式会社东芝
Applicant Address: 日本东京
Assignee: 株式会社东芝
Current Assignee: 株式会社东芝
Current Assignee Address: 日本东京
Agency: 上海专利商标事务所有限公司
Agent 沈昭坤
Priority: 2004－236548 2004.08.16 JP
Main IPC: H01L21/302
IPC: H01L21/302 ; H01L21/60

Abstract:

根据制造半导体晶片和半导体器件的方法，半导体晶片的背面接地，并通过干或湿腐蚀，使分割的半导体晶片上的半导体芯片的背面具有基本相等的表面粗糙度。通过突起采用热压缩和超声波振动将半导体芯片接合到引线框上。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割