-
公开(公告)号：CN109564898A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780048297.0
申请日：2017-07-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 实施方式的半导体模块包含半导体元件、金属基体、基板和金属层。上述金属基体具有搅拌部。上述基板位于上述半导体元件与上述金属基体之间。上述金属层与上述搅拌部相接，且位于上述金属基体与上述基板之间。
-
公开(公告)号：CN108417567A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810126719.8
申请日：2018-02-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/485 , H01L24/26 , H01L24/33 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/50 , H01L2924/014 , H01L2924/1425
Abstract: 提供生产率高并且可靠性高的半导体模块。实施方式的半导体模块具备第1基板、第1电路部件、第1连接构件及第1线材。上述第1基板具有绝缘性。上述第1电路部件具有第1导电层、第1开关元件及第1二极管。上述第1连接构件设置在上述第1开关元件的第1电极及上述第1二极管的第4电极上，具有导电性。上述第1线材将上述第1导电层及上述第1连接构件连接。
-
公开(公告)号：CN106972001A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201611144609.1
申请日：2016-12-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/528
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/051 , H01L23/142 , H01L23/145 , H01L23/15 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/492 , H01L23/49805 , H01L23/49861 , H01L23/50 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/30181 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48245 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L23/528
Abstract: 一实施方式的半导体模块具有第一和第二布线部、多个第一半导体装置以及多个第二半导体装置。上述第二布线部与上述第一布线部对置地设置。上述第三布线部与上述第一布线部对置地设置。各个第一半导体装置设置在上述第一布线部与上述第二布线部之间，具有第一开关元件，该第一开关元件的输入端子或输出端子与上述第一布线部电连接。各个第二半导体装置设置在上述第一布线部与上述第三布线部之间，具有第二开关元件，上述第二开关元件的输出端子或输入端子与上述第一开关元件相反地电连接于上述第一布线部。
-
公开(公告)号：CN104465578A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410053381.X
申请日：2014-02-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/24 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/04026 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05584 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32013 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/8346 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体装置，上述半导体装置包括半导体元件和金属膜。上述半导体元件具有第1面以及与第1面相反的一侧的第2面。上述金属膜设置在上述半导体元件的上述第2面。上述金属膜含Cr。上述半导体元件也可以含有动作确保温度比Si的动作确保温度高的材料。
-
公开(公告)号：CN100580875C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810008863.8
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/78 , H01L21/607 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/78 , H01L23/29 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/298 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/19043 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 对于为了减小在半导体基板上所形成的电路元件间的电阻而在半导体基板的面上形成有导电层的半导体元件，在通过施加超声波振动而倒装片式安装该半导体元件时，防止由施加超声波振动的结合工具切削导电层，并防止因所切削的切屑附着在结合工具上而引起的半导体元件的安装状态的偏差。在半导体元件的制造方法中，具有以下工序：在一个主面上形成有电路元件的半导体晶片的另一个主面上形成导电层；在覆盖上述导电层上的至少一部分的区域内，形成相比于该导电层具有难切削性的保护层；以及将上述半导体晶片按照每个半导体元件切断。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116798903A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210810754.8
申请日：2022-07-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 井口知洋
Abstract: 实施方式主要涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：框体，具有壁面；绝缘基板，被框体包围，在表面具有第一金属层和第二金属层，第二金属层位于第一金属层与壁面之间；半导体芯片，包括电极，设置在第一金属层之上；以及接合线，具有：与电极连接的第一接合部、与第二金属层连接的第二接合部以及第一接合部与第二接合部之间的中间部，第二接合部伸长的第二方向与壁面所成的第二角度小于中间部伸长的第一方向与壁面所成的第一角度。
-
公开(公告)号：CN105742268B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201510908670.8
申请日：2015-12-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/498 , H01L23/367
Abstract: 一种布线基板，具备：由氮化硅形成的、包含厚度为0.2mm以上且1mm以下的传热区域部分在内的绝缘基板部；以及层叠在传热区域部分上的、包含厚度1.5mm以上的由金属材料形成的焊盘部在内的布线层部。
-
公开(公告)号：CN104064476A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310308392.3
申请日：2013-07-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/48 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/49866 , H01L23/3735 , H01L23/49844 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/29111 , H01L2224/29311 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83205 , H01L2224/83455 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供能够通过抑制冷热循环引起的热膨胀以及热收缩来提高产品的可靠性的功率半导体装置的制造方法以及通过该制造方法制造的功率半导体装置。本实施方式涉及的功率半导体装置的制造方法，是包括表面具有导体层的基底基板以及安装于上述基底基板的半导体元件的功率半导体装置的制造方法，具有在上述导体层的表面形成硬化层的工序。
-
公开(公告)号：CN104051445A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410059241.3
申请日：2014-02-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/8232 , H01L22/32 , H01L23/053 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供生产力高的半导体模块及其制造方法。半导体模块包含第一电路部件、第二电路部件和第三电路部件。上述第一电路部件包含第一基板、第一导电层、第一开关元件和第一二极管。上述第二电路部件包含第二基板、第二导电层、第二开关元件和第二二极管。在上述第一电路部件与上述第三电路部件之间配置上述第二电路部件。上述第三电路部件包含第三基板、第三导电层、第三开关元件和第三二极管。上述第三导电层设置在上述第三基板之上。上述第三导电层包含第三元件搭载部。上述第三开关元件设置在上述第三元件搭载部上。上述第三二极管设置在上述第三元件搭载部上。从上述第三开关元件朝向上述第三二极管的方向是与上述第一方向相反的方向。
-
公开(公告)号：CN100452309C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510092145.X
申请日：2005-08-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/302 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/73204 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 根据制造半导体晶片和半导体器件的方法，半导体晶片的背面接地，并通过干或湿腐蚀，使分割的半导体晶片上的半导体芯片的背面具有基本相等的表面粗糙度。通过突起采用热压缩和超声波振动将半导体芯片接合到引线框上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.025 seconds)
