半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器

Invention Grant

CN104064594B 半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器有权

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Patent Title: 半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器
Application No.: CN201410056424.X

Application Date: 2014-02-19
Publication No.: CN104064594B

Publication Date: 2018-10-12
Inventor: 尾崎史朗 , 冈本直哉
Applicant: 富士通株式会社
Applicant Address: 日本神奈川县
Assignee: 富士通株式会社
Current Assignee: 富士通株式会社
Current Assignee Address: 日本神奈川县
Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
Agent 顾晋伟; 吴鹏章
Priority: 2013-054928 2013.03.18 JP
Main IPC: H01L29/778
IPC: H01L29/778 ; H01L29/06 ; H01L21/335 ; H01L27/02

Abstract:

一种半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器。一种半导体器件，包括：氮化物半导体多层；布置在氮化物半导体多层上的绝缘膜；以及布置在绝缘膜上的栅电极，其中氮化物半导体多层具有在与绝缘膜的在栅电极下方的区域的界面附近的第一氧化区域，该第一氧化区域的氧浓度高于在与绝缘膜的除在栅电极下方之外的区域的界面附近的区域的氧浓度。

Public/Granted literature

CN104064594A 半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器 Public/Granted day:2014-09-24

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/778	.....带有二维载流子气沟道的，如HEMT