公开(公告)号：CN104064594B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201410056424.X

申请日：2014-02-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  冈本直哉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L27/02

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器。一种半导体器件，包括：氮化物半导体多层；布置在氮化物半导体多层上的绝缘膜；以及布置在绝缘膜上的栅电极，其中氮化物半导体多层具有在与绝缘膜的在栅电极下方的区域的界面附近的第一氧化区域，该第一氧化区域的氧浓度高于在与绝缘膜的除在栅电极下方之外的区域的界面附近的区域的氧浓度。

公开(公告)号：CN101689412B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN200880023571.X

申请日：2008-05-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林靖志 ,  中田义弘 ,  尾崎史朗

IPC: C08L83/16 ,  H01B3/46 ,  H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3121 ,  C08G77/60 ,  C09D183/16 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H05K3/4676 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够适合用于形成低介电常数且高强度的绝缘膜材料、能降低布线间的寄生电容的多层布线基板及其制造方法，和高速且可靠性高的半导体装置及其制造方法。本发明的绝缘膜材料的特征在于，至少含有具有由下述结构式(1)表示的结构的聚碳硅烷化合物，其中，在前述结构式(1)中，R1在n个重复单元中相互相同或者不同，表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；R2在n个重复单元中相互相同或者不同，表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；n表示5～5000的整数，结构式(1)。

公开(公告)号：CN103035703B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210270679.7

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。

公开(公告)号：CN102487079B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201110342603.6

申请日：2011-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中村哲一 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/10 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/7788 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法，该方法在包括电极沟槽的内壁表面的化合物半导体层的表面上，去除由于为了形成电极沟槽所进行的干蚀刻而产生的蚀刻残留物和变质物，并且用氟来终止化合物半导体。经由栅绝缘膜将栅极金属埋置在电极沟槽中，或者将栅极金属直接地埋置在电极沟槽中，从而形成栅极。本发明的化合物半导体器件能够提供高的晶体管特性：其化合物半导体层的表面上的悬空键被大大减少，由此阈值电压经历较小的变化并较稳定。

公开(公告)号：CN101649053B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200810129731.0

申请日：2008-08-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: C08G77/60 ,  C08G77/62 ,  C08L83/16 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: C08G77/62 ,  C08G77/60 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供了一种硅化合物、多层布线装置及其制造方法。在基板表面形成的多孔绝缘膜前体层；然后在其上形成的特定的硅化合物层；需要时，将该硅化合物层预固化；通过硅化合物层或预固化层将所述多孔绝缘膜前体在UV下曝光。

公开(公告)号：CN102651308A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210042246.6

申请日：2012-02-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  武田正行 ,  中村哲一 ,  今纯一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/335 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/67057 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法和清洁半导体衬底的方法，所述制造半导体器件的方法包括：以表面相对于垂直方向和水平方向倾斜的方式保持半导体衬底；以及将半导体衬底浸没在含有酸的清洁溶液中。

公开(公告)号：CN102646704A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210033132.5

申请日：2012-02-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  渡部庆二

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L23/29 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、电源装置、放大器以及制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：形成在衬底上方的半导体层；形成在半导体层上的绝缘膜；和形成在绝缘膜上的电极。绝缘膜在半导体层一侧的膜应力低于在电极一侧的膜应力。

公开(公告)号：CN101960582A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200880127868.0

申请日：2008-03-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  今田忠纮 ,  小林靖志

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高绝缘膜相互之间的粘附性，从而可提高半导体装置的多层布线形成工艺中的成品率和可靠性的布线基板、半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明涉及一种布线基板，其特征在于，包括由硅化合物构成的第一绝缘膜、形成于改第一绝缘膜上的粘附强化层以及形成于该粘附强化层上且由硅化合物构成的第二绝缘膜，上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜是通过由具有下述通式(1)所表示的结构的构成成分进行结合，在通式(1)中，X＝2Y，X表示1以上的整数。Si-CXHY-Si……通式(1)。

公开(公告)号：CN101689412A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880023571.X

申请日：2008-05-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林靖志 ,  中田义弘 ,  尾崎史朗

IPC: H01B3/30 ,  C08L83/16 ,  H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3121 ,  C08G77/60 ,  C09D183/16 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H05K3/4676 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够适合用于形成低介电常数且高强度的绝缘膜的绝缘膜材料、能降低布线间的寄生电容的多层布线基板及其制造方法，和高速且可靠性高的半导体装置及其制造方法。本发明的绝缘膜材料的特征在于，至少含有具有由下述结构式(1)表示的结构的聚碳硅烷化合物，其中，在前述结构式(1)中，R1在n个重复单元中相互相同或者不同，表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；R2在n个重复单元中相互相同或者不同，表示碳原子数为1～4的烃和芳香族烃中的任一种；n表示5～5000的整数。

公开(公告)号：CN104766882B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201410820297.6

申请日：2014-12-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  朱雷 ,  冈本直哉 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件包括：形成在衬底之上并由氮化物半导体形成的第一半导体层；形成在第一半导体层之上并由氮化物半导体形成的第二半导体层；形成在第二半导体层之上并由氮化物半导体形成的第三半导体层；形成在第三半导体层之上的源电极和漏电极；形成在源电极与漏电极之间、在第二半导体层和第三半导体层中的开口；形成在开口的侧表面和底表面上的绝缘层；以及经由绝缘层形成在开口中的栅电极。