Invention Publication
- Patent Title: 半导体装置及其制造和运行方法和制造半导体组件的方法
- Patent Title (English): Semiconductor Arrangement, Method for Producing a Semiconductor Module, Method for Producing a Semiconductor Arrangement and Method for Operating a Semiconductor Arrangement
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Application No.: CN201410450708.7Application Date: 2014-09-05
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Publication No.: CN104425413APublication Date: 2015-03-18
- Inventor: G.比尔 , I.埃舍尔-珀佩尔 , J.赫格尔 , O.霍尔费尔德 , P.坎沙特
- Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
- Applicant Address: 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
- Assignee: 英飞凌科技股份有限公司
- Current Assignee: 英飞凌科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 卢江; 胡莉莉
- Priority: 102013217802.6 2013.09.05 DE
- Main IPC: H01L23/48
- IPC: H01L23/48 ; H01L21/60 ; H01L23/10 ; H01L23/28 ; H01L21/58 ; H01L25/07

Abstract:
本发明涉及半导体装置及其制造和运行方法和制造半导体组件的方法。该半导体装置包括上和下接触板以及多个芯片组件。每个芯片组件具有半导体芯片,其具有半导体本体,半导体本体具有上侧和与上侧对置的在垂直方向上隔开的下侧。在上侧上分别布置有单独的上主电极和控制电极。芯片组件分别具有独立的布置在有关的芯片组件的半导体芯片的下侧上的下主电极或在每个芯片组件中布置在该芯片组件的半导体本体的下侧上的共同的下主电极。在每个芯片组件中借助其控制电极能够控制在上主电极与下主电极之间的电流。芯片组件通过介电填料以材料决定的方式彼此连接成固定复合体。嵌入复合体中的控制电极互连结构将芯片组件的控制电极彼此导电连接。
Public/Granted literature
- CN104425413B 半导体装置及其制造和运行方法和制造半导体组件的方法 Public/Granted day:2017-09-15
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IPC分类: