Invention Publication
CN104795314A 制造发光装置的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 制造发光装置的方法
- Patent Title (English): Method for fabricating light emitting device
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Application No.: CN201510088718.5Application Date: 2010-07-22
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Publication No.: CN104795314APublication Date: 2015-07-22
- Inventor: 金彰渊 , 酒井士郎 , 金华睦 , 李俊熙 , 文秀荣 , 金京完
- Applicant: 首尔伟傲世有限公司
- Applicant Address: 韩国京畿道安山市
- Assignee: 首尔伟傲世有限公司
- Current Assignee: 首尔伟傲世有限公司
- Current Assignee Address: 韩国京畿道安山市
- Agency: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- Agent 尹淑梅; 韩明星
- Priority: 10-2009-0079429 2009.08.26 KR; 10-2009-0079431 2009.08.26 KR; 10-2009-0079434 2009.08.26 KR; 10-2009-0079436 2009.08.26 KR
- The original application number of the division: 2010800383634 2010.07.22
- Main IPC: H01L21/02
- IPC: H01L21/02 ; H01L33/00

Abstract:
本发明提供了一种制造发光装置的方法。制造发光装置的方法包括:将基底放置在第一室中,所述基底包括第一半导体层和在第一半导体层上以预定图案形成的金属材料层;在第一室中,在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层,同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙;将具有第二半导体层的基底从第一室转移到第二室;在第二室中,在第二半导体层上形成化合物半导体层。
Public/Granted literature
- CN104795314B 制造发光装置的方法 Public/Granted day:2018-02-09
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IPC分类: