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公开(公告)号：CN110993763B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201911392202.4
申请日：2017-07-07
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 本发明提供一种紫外线发光二极管。根据一实施例的紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于基板上；台面，布置于n型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于n型半导体层；p欧姆接触层，接触于p型半导体层；n凸块，电连接于n欧姆接触层；以及p凸块，电连接于p欧姆接触层，其中，台面包括多个分支，n欧姆接触层包围台面并夹设于分支之间的区域，n欧姆接触层与台面之间的隔开距离恒定，暴露于分支之间的n型半导体层的最小宽度大于或等于分支的最小宽度，n凸块及p凸块分别覆盖台面的上部及侧表面，p凸块覆盖分支中的至少两个分支。
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公开(公告)号：CN106575687B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201580044488.0
申请日：2015-09-24
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：包括第一导电型半导体层和第二导电型半导体层以及有源层的发光结构，发光结构具有穿过有源层和第二导电型半导体层形成以暴露第一导电型半导体层的第二孔；反射金属层；覆盖金属层；第一绝缘层；设置在第一绝缘层上的电极层，该电极层覆盖第一绝缘层并填充第二孔；设置在发光结构上的电极焊盘，其中，发光结构具有形成在覆盖金属层上方的第一孔，电极焊盘在覆盖金属层上方形成在发光结构上。
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公开(公告)号：CN109478581A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780043961.2
申请日：2017-07-07
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 提供一种紫外线发光二极管。根据一实施例的紫外线发光二极管包括：基板；n型半导体层，位于基板上；台面，布置于型半导体层上，并包含活性层及p型半导体层；n欧姆接触层，接触于n型半导体层；p欧姆接触层，接触于p型半导体层；n凸块，电连接于n欧姆接触层；以及p凸块，电连接于p欧姆接触层，其中，台面包括主分支以及从主分支延伸的多个子分支，n欧姆接触层包围台面并夹设于子分支之间的区域，n凸块及p凸块分别覆盖台面的上部及侧表面。因此，能够减少光损失而提高光输出，并且能够降低正向电压。
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公开(公告)号：CN108807632A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810927330.3
申请日：2015-12-17
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/405
Abstract: 提供一种半导体发光器件，其包括：发光结构，在发光结构中，堆叠导电衬底、第二导电型半导体层、活性层和第一导电型半导体层；扩散金属层和绝缘层，形成在导电衬底与第二导电型半导体层之间；反射电极层，形成在第二导电型半导体层下方，其中，反射电极层的面向第二导电型半导体层的顶表面具有比第二导电型半导体层的底表面小的面积，扩散金属层形成通过绝缘层、第二导电型半导体层和活性层延伸至第一导电型半导体层内部的多个通孔，并且通过通孔将扩散金属层电耦联至第一导电型半导体层，以及任一通孔与邻近于通孔的另一个通孔之间的最短距离D2比最靠近第一导电型半导体层的外部的通孔与第二导电型半导体层的外部之间的最短距离D3大。
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公开(公告)号：CN105720161B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201510954206.2
申请日：2015-12-17
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 提供一种半导体发光器件，其包括：第一导电型氮化物半导体层；活性层，形成在第一导电型氮化物半导体层下方；第二导电型氮化物半导体层，形成在活性层下方；台面区域，从第二导电型氮化物半导体层向上形成，从而暴露第一导电型氮化物半导体层；第二电极，形成在第二导电型氮化物半导体层下方；金属覆盖层，形成在第二导电型氮化物半导体层下方的拐角处，以覆盖第二电极的一部分；绝缘层，形成在金属覆盖层、第二电极和台面区域下方；绝缘层的开口，形成在与台面区域相对应的部分处，从而暴露第一导电型氮化物半导体层；第一电极，形成在绝缘层下方和开口中；导电衬底，形成在第一电极下方；第二电极垫，形成在暴露的金属覆盖层上方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105895770B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201610286085.3
申请日：2011-05-18
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管(LED)。根据实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，包括p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，包括与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的第一区域；第二绝缘层，覆盖半导体堆叠件，其中，基底包括包含W和Mo中的至少一种的第二金属层以及分别布置在第二金属层的第一表面和第二表面上的第三金属层，第三金属层的热膨胀系数比第二金属层的热膨胀系数高。
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公开(公告)号：CN104658890B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510088799.9
申请日：2010-07-22
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/005 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体基底的方法和一种制造发光装置的方法。制造半导体基底的方法包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；通过利用化学溶液蚀刻第一半导体层的至少一部分使第一基底从第二半导体层分离。这些方法不使用激光束来分离生长基底，从而降低了半导体基底的制造成本。
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公开(公告)号：CN104851952B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201510229202.8
申请日：2011-05-18
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
Abstract: 本发明的示例性实施例涉及一种高效发光二极管(LED)。根据示例性实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，其中，半导体堆叠件具有p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，其中，电极延伸件具有与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，其中，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的表面区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间。
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公开(公告)号：CN104716023B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201510089036.6
申请日：2010-07-22
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/005 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体基底的方法和一种制造发光装置的方法。制造半导体基底的方法包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；在形成第二半导体层之后通过加热基底使第一半导体层中的孔隙生长。这些方法不使用激光束来分离生长基底，从而降低了半导体基底的制造成本。
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公开(公告)号：CN106169529A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610342039.0
申请日：2016-05-20
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供一种发光二极管，包含：发光结构体，其包含第二导电型半导体层、位于第二导电型半导体层的上表面上的活性层、及位于活性层的上表面上的第一导电型半导体层；至少一个第一电极，其与第一导电型半导体层电连接；电流阻断层，其位于发光结构体的下表面上；及第二电极，其与第二导电型半导体层电连接，第二电极包含：第一反射金属层；及第二反射金属层；且第二反射金属层与第二导电型半导体层之间的接触电阻大于第一反射金属层与第二导电型半导体层之间的接触电阻。由此，可减少顺向电压，增加输出电力，并改善发光二极管的可靠性。
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