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公开(公告)号：CN104795314B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510088718.5
申请日：2010-07-22
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/005 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供了一种制造发光装置的方法。制造发光装置的方法包括：将基底放置在第一室中，所述基底包括第一半导体层和在第一半导体层上以预定图案形成的金属材料层；在第一室中，在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；将具有第二半导体层的基底从第一室转移到第二室；在第二室中，在第二半导体层上形成化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN104795313B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510088677.X
申请日：2010-07-22
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/005 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体基底的方法和一种制造发光装置的方法。制造半导体基底的方法包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；在形成第二半导体层的同时或者在形成第二半导体层之后，使金属材料与氮的反应副产物蒸发以去除反应副产物。这些方法不使用激光束来分离生长基底，从而降低了半导体基底的制造成本。
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公开(公告)号：CN104716023A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510089036.6
申请日：2010-07-22
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L21/02 , H01L21/302 , H01L33/0095
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体基底的方法和一种制造发光装置的方法。制造半导体基底的方法包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；在形成第二半导体层之后通过加热基底使第一半导体层中的孔隙生长。这些方法不使用激光束来分离生长基底，从而降低了半导体基底的制造成本。
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公开(公告)号：CN104795313A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510088677.X
申请日：2010-07-22
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/005 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体基底的方法和一种制造发光装置的方法。制造半导体基底的方法包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；在形成第二半导体层的同时或者在形成第二半导体层之后，使金属材料与氮的反应副产物蒸发以去除反应副产物。这些方法不使用激光束来分离生长基底，从而降低了半导体基底的制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104658890A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510088799.9
申请日：2010-07-22
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L21/02 , H01L21/302 , H01L33/0095
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体基底的方法和一种制造发光装置的方法。制造半导体基底的方法包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；通过利用化学溶液蚀刻第一半导体层的至少一部分使第一基底从第二半导体层分离。这些方法不使用激光束来分离生长基底，从而降低了半导体基底的制造成本。
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公开(公告)号：CN104658890B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510088799.9
申请日：2010-07-22
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/005 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体基底的方法和一种制造发光装置的方法。制造半导体基底的方法包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；通过利用化学溶液蚀刻第一半导体层的至少一部分使第一基底从第二半导体层分离。这些方法不使用激光束来分离生长基底，从而降低了半导体基底的制造成本。
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公开(公告)号：CN104716023B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201510089036.6
申请日：2010-07-22
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/005 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体基底的方法和一种制造发光装置的方法。制造半导体基底的方法包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；在形成第二半导体层之后通过加热基底使第一半导体层中的孔隙生长。这些方法不使用激光束来分离生长基底，从而降低了半导体基底的制造成本。
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公开(公告)号：CN104795314A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510088718.5
申请日：2010-07-22
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/005 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供了一种制造发光装置的方法。制造发光装置的方法包括：将基底放置在第一室中，所述基底包括第一半导体层和在第一半导体层上以预定图案形成的金属材料层；在第一室中，在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；将具有第二半导体层的基底从第一室转移到第二室；在第二室中，在第二半导体层上形成化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN102640307B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080038363.4
申请日：2010-07-22
Applicant: 首尔伟傲世有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/005 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体基底的方法和一种制造发光装置的方法。制造半导体基底的方法包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；利用孔隙使基底从第二半导体层分离。这些方法不使用激光束来分离生长基底，从而降低了半导体基底的制造成本。
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