Invention Publication
- Patent Title: 一种磁控元件和磁控溅射装置
- Patent Title (English): Magnetron element and magnetron sputtering device
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Application No.: CN201610789989.8Application Date: 2016-08-30
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Publication No.: CN107785219APublication Date: 2018-03-09
- Inventor: 杨玉杰 , 郭万国 , 王厚工
- Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
- Applicant Address: 北京市经济技术开发区文昌大道8号
- Assignee: 北京北方华创微电子装备有限公司
- Current Assignee: 北京北方华创微电子装备有限公司
- Current Assignee Address: 北京市经济技术开发区文昌大道8号
- Agency: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- Agent 彭瑞欣; 罗瑞芝
- Main IPC: H01J25/50
- IPC: H01J25/50 ; H01J37/34 ; C23C14/35

Abstract:
本发明提供一种磁控元件和磁控溅射装置。该磁控元件包括闭合磁极和开路磁极,闭合磁极包围开路磁极,闭合磁极和开路磁极之间形成的磁场能使溅射沉积薄膜的均匀性小于5%。该磁控元件通过设置闭合磁极和开路磁极,能适用于RF/DC PVD技术,通过调节闭合磁极和开路磁极之间形成的等离子体路径的形状与分布,能在全工艺压力范围下使溅射沉积薄膜满足设定的均匀性要求,从而大大提高了沉积薄膜的均匀性;该磁控元件适用的磁控溅射系统以及适用的薄膜沉积材料都比较广泛,并且,该磁控元件还能提高靶材的利用率。
Public/Granted literature
- CN107785219B 一种磁控元件和磁控溅射装置 Public/Granted day:2019-10-11
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