Invention Publication
CN112877657A 一种AlN薄膜的制备方法
无效 - 驳回
- Patent Title: 一种AlN薄膜的制备方法
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Application No.: CN202110032642.XApplication Date: 2021-01-12
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Publication No.: CN112877657APublication Date: 2021-06-01
- Inventor: 梁晓平 , 门阔 , 刘皓 , 连紫薇 , 魏峰 , 李洋
- Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
- Applicant Address: 北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号
- Assignee: 有研工程技术研究院有限公司
- Current Assignee: 有研工程技术研究院有限公司
- Current Assignee Address: 北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号
- Agency: 中国有色金属工业专利中心
- Agent 范威
- Main IPC: C23C14/35
- IPC: C23C14/35 ; C23C14/02 ; C23C14/06 ; C23C14/16
Abstract:
本发明公开了一种AlN薄膜的制备方法，采用Mo靶、Al靶作为溅射靶材，(100)取向的Si作为衬底，将其预处理，采用磁控溅射方法，先制备Mo过渡层，再制备AlN薄膜，溅射过程通入Ar、N2混合气，通过改变两种气体比例进而调控AlN薄膜取向。该方法制得的AlN薄膜(100)择优取向生长，且薄膜质量优良，提高了AlN薄膜制备效率，同时节约了成本。
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IPC分类:
